去年年底参加了存储圈的技术交流,做了一个关于闪存存储系统设计的报告。近年来闪存存储系统设计一直是一个非常热门的话题,适应未来存储技术的发展潮流。原有存储系统的很多设计理念需要进行改变,以此适应闪存介质的新特征,这是一个非常庞大的工程。在此和大家分享点滴闪存..
分类:
其他好文 时间:
2016-09-29 02:30:14
阅读次数:
253
大家不难发现目前市场上出售的全闪存阵列基本都是采用SATASSD,其中的原因在于NVMeSSD比SATASSD贵,SATASSD目前可以满足绝大多数应用的性能需求。除此之外,其实目前的全闪阵列软件并不能对NVMeSSD进行很好的支持。如果需要支持NVMeSSD,阵列软件还需要做较大规模的调整,例如..
分类:
其他好文 时间:
2016-09-28 08:00:57
阅读次数:
153
产品唯一的身份标识非常适合:● 用来作为序列号(例如USB字符序列号或者其他的终端应用)● 用来作为密码,在编写闪存时,将此唯一标识与软件加解密算法结合使用,提高代码在闪存存储器内的安全性。● 用来激活带安全机制的自举过程96位的产品唯一身份标识所提供的参考号码对任意一个STM32微控制器,在任何情 ...
分类:
其他好文 时间:
2016-05-03 23:48:32
阅读次数:
206
一直对闪存存储关注的朋友对NVMeSSD一定非常熟悉,NVMeSSD是现如今性能最好的存储盘。这种高性能盘在互联网领域已经得到了大规模应用,但是在行业用户还没有得以大范围普及。很多人对NVMeSSD也许还比较陌生,不知道如何应用该类型盘,并且给自己的业务带来价值。和SATA/SASSSD..
分类:
其他好文 时间:
2016-04-23 01:48:21
阅读次数:
1190
在闪存存储领域,我们可以看到无论在市尝客户还是在研发,大家都在支持NVMe标准,其很重要的一个原因是传统的SCSI已经不能满足性能需求,其变成了存储系统的一个重要性能瓶颈点。从软件层、传输协议效率、软件接口标准、芯片接口、传输链路,传统的SAS/SATA都存在很多不足的地..
分类:
其他好文 时间:
2015-08-28 02:15:58
阅读次数:
269
在STMF103XXX 里,可以通过Boot[1:0]引脚选择3种不同的启动模式: 启动模式选择引脚 启动模式 说明 BOOT1 BOOT0 X 0 主闪存存储器主闪存存储器被选择为启动区域,这是正常的工作模式。 0 1 系统存储器系统存储器被选择为启动区域,这种...
分类:
其他好文 时间:
2015-06-17 14:59:42
阅读次数:
229
3.1 红外脉宽存储及FLASH的读写
根据STM32型号的不同,FLASH容量由16K到1024K不等。
FLASH模块主要由三部分组成:主存储器、信息块、闪存存储器接口寄存器。模块组织见《STM32中文参考手册》小节《2.3.3 嵌入式闪存》。
主存储器用来存放代码和数据常数,对于大容量产品,划分为256页,每页2K字节;中小容量产品每页则是1K。信息块的启动程序代码用...
分类:
其他好文 时间:
2014-12-24 10:06:15
阅读次数:
278
今年10月份的时候参加中国闪存论坛,并有幸通过分论坛演讲的形式和很多朋友一起分享了闪存存储技术。最近一段时间一直在从事闪存存储系统方面的研发,从产品、市尝应用和技术的角度对闪存存储进行过深入的思考,思考之后越发觉得存储的未来在于闪存或者严格意义上说在于半导体..
分类:
其他好文 时间:
2014-12-16 06:34:02
阅读次数:
288
(一)FSMC:Flexible Static Memory Controller,可变(灵活)静态存储控制器小容量产品是指闪存存储器容量在16K至32K字节之间的STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器。中容量产品是指闪存存储器容量在64K至128K字节之间的...
分类:
其他好文 时间:
2014-10-16 17:27:12
阅读次数:
338
NANDFlash芯片是构成SSD的基本存储单元,NANDFlash芯片工艺的发展、结构的变化将会推动整个闪存存储产业的高速发展。在设计闪存存储系统的时候,特别是在设计NANDFlash控制器、SSD盘或者卡的时候,都需要深入的了解NANDFlash的操作方法、接口命令及其时序。一个NANDFlash芯片虽..
分类:
其他好文 时间:
2014-08-25 10:11:55
阅读次数:
340