Hive的后端存储是HDFS，它对大文件的处理是非常高效的，如果合理配置文件系统的块大小，NameNode可以支持很大的数据量。但是在数据仓库中，越是上层的表其汇总程度就越高，数据量也就越小。而且这些表通常会按日期进行分区，随着时间的推移，HDFS的文件数目就会逐渐增加。 小文件带来的问题 关于这个 ...
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2019-04-21 20:02:52
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表1：student 表2：course 一、外连接 1、左连接（left join 或 left outer join） SQL语句：SELECT * FROM student LEFT JOIN course ON student.`sID`=course.`stu_ID` 执行结果： 左外连接 ...
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2019-02-27 13:12:31
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1、确认硬盘fdisk -l /dev/sdb 2、做一个系统PVpvcreate /dev/sdb 3、查看卷名vgdisplay 4、将 PV /dev/sdb添加到卷组VolGroup 中vgextend VolGroup /dev/sdb 5、验证空间大小vgs 6、查看磁盘分区lsblk ...
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2019-02-13 15:35:56
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脉脉是一个实名职场社交平台。之前爬了脉脉职言版块，大概爬了4027条评论，本文对爬取过程给出详细说明，对于评论内容仅做可视化分析，之前存了一堆这方面的文章，今天一看全都404了?。 爬虫 仍然使用python编程，对爬虫没兴趣的可以直接跳过看下部分，不影响悦读。 网址https://maimai.c ...
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2019-01-19 13:18:33
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图解1：Vds电压一定，开启电压越高，通过的电流越大 图解2：Vds，Vgs电压一定，温度越低，过电流越大。 图解3：Id电流一定，Vgs开启电压越高内阻越低。 图解4：温度一定，开启电压越高，导通内阻越大。 图解5：开启电压一定，温度越高，内阻越大。 图解6： 图解7： 图解8： 图解9： 图解1 ...
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2019-01-04 18:40:31
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MOSFET规格书参数详解 * 说明：MOS管漏极和源极最大耐压值。 测试条件：在Vgs=0V，栅极和源极不给电压。 影响：超过的话会让MOSFET损坏。 说明：ID的漏电流。 测试条件：在Vgs=0V，在漏极和源极两端给48V的电压。 影响：漏电流越大功耗越大。 说明：栅极漏电流 测试条件：在Vg ...
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2019-01-04 14:35:54
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LVM的诞生： 由于传统的磁盘管理不能对磁盘进行磁盘管理，比如我把/dev/sdb1挂载到了/liu目录下，但是因为数据量过大的原因，此文件系统磁盘利用率已经高达98%，那么我可以直接对这个磁盘进行扩容吗？扩容的话又会丢数据吗？答案当然是不能直接扩充，会丢数据会影响业务的正常运转。因此才诞生了LVM ...
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2019-01-02 00:00:48
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查看物理卷的命令：pvdisplay（或者pvs）创建卷组：vgcreatevg1/dev/sdb1/dev/sdb2vg1是卷组的名字/dev/sdb1是物理卷查看卷组：vgs创建逻辑卷：lvcreate-L100M-nlv1vg1-L指定大小-n指定名字-n+名字后面是指从哪个卷组里划分出来查看逻辑卷大小：lvdisplay(或者lvs)格式化逻辑卷组：mkfs.ext4/dev/vg1/lv
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2018-12-13 11:26:01
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LvmFs扩容一.lv扩容[root@dong~]#vgs查看VG的剩余容量datavg220wz--n-1.99g1.80g[root@dong~]#lvs看当前LV的大小lv1datavg-wi-ao----100.00mlv2datavg-wi-ao----100.00m[root@dong~]#lvextend-L200/dev/datavg/lv1将LV1扩容到200M[root@don
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2018-12-12 19:05:11
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mos管的基本参数，大家熟悉的必然是Ids电流，Ron导通电阻，Vgs的阈值电压，Cgs、Cgd、Cds这几项，然而在高速应用中，开关速度这个指标比较重要。<ignore_js_op> 上图四项指标，第一项是导通延时时间，第二项是上升时间，第三项是关闭延时时间，第四项是下降时间。定义如下图：<ign ...
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2018-12-05 16:15:57
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