下面总结一下调试的过程：
我使用ds2781的快速模式（OVD高电平）
1. 首先要有一个芯片的datasheet
这里写链接内容
2. 其次测试设备：示波器，逻辑分析仪
3. 根据手册上的时序写代码进行调试
时隙
关于与复位时序，手册说明：
与DS2781的任何通信都必须从初始化过程开始，如上图所示。复位脉冲之后的在线应答脉冲表明DS2781已经准备
好接收网络地址命令。总线主机发出 (Tx) 持续tRSTL时间的复位脉冲。然后总线主机释放数据线，进入接收模式
(Rx)。然后由上拉电阻将1-Wire总线拉至高电平。DS2781检测到DQ引脚的上升沿后，将等待tPDH时间，然后发出持
续时间为tPDL的在线应答脉冲。
我调试的时候的复位波形是这样的：
要对照着时隙，我的三个参数分别是：65us，3us，12us。对应手册的 48-80us，2-6us，8-24us。
关于写时序，手册上这样说明：
当总线主机将1-Wire总线从逻辑高 (无效) 电平拉至逻辑低电平时，开始写时隙。写时隙有两种类型：写1和写0。所
有写时隙必须保持tSLOT的时间，并且两个写时隙之间需要1μs的最小恢复时间 (tREC)。DS2781将在线路下降沿之后的
15μs至60μs之间 (高速模式下在2μs至6μs之间) 采样1-Wire总线数据。如果采样时总线为高电平，则为写1时隙。如
果采样时总线为低电平，则为写0时隙 (参见图23)。总线主机若要产生写1时隙，必须先拉低总线，然后释放，在写
时隙开始后的15μs (高速模式下为2μs) 之内将总线拉至高电平。主机若要产生写0时隙，必须拉低总线，并在写时隙
持续时间内保持为低电平。
我调试的时候的波形是这样的：
关于读时序手册是这样说明的
当总线主机将1-Wire总线从逻辑高电平拉至逻辑低电平时，开始读时隙。总线主机必须使总线为低电平的时间至少持
续1μs，然后再释放总线，使DS2781输出有效数据。总线主机在读时隙开始后的tRDV时间内采样数据。DS2781在读
时隙结束时释放总线，允许外部上拉电阻将其拉至高电平。所有读时隙必须持续tSLOT，并且在两次读时隙之间需要
1μs的最小恢复时间 (tREC)。详细信息参见图23。
我调试的时候的波形是这样的：
按照实际的波形 tRDV 在小于3us内都是可以读出来的
[源码](http://download.csdn.net/detail/a912293097/9054963 “csdn下载界面”)
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