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一个解释是：掺杂高的P区，较窄的区域就贡献足够的空穴，跟N区贡献出的电子相抵消
另一个解释是：P型半导体中所谓的空穴，其实是电中性的；N型半导体中的自由电子是从施主杂质那里跑出来的。P型和N型紧密结合在一起形成PN结时，每有一个自由电子进入P型区域和空穴结合，就多了一个真正的负离子（那个结合了自由电子的空穴）和一个真正的正离子（那个丢掉了电子的施主杂质）。
那么，这两个正负离子都存在于空间电荷区，所以这些东西都是成对出现的。因此，空间电荷区是电中性的。
由于成对出现的正负离子，并且正离子出现在空间电荷区的N型区域，负离子出现在空间电荷区的P型区域，因此两种电荷的各自的总量相等，导致空间电荷区总的来说呈现电中性。如果参与结合的P型和N型半导体的掺杂浓度不同，那么单位体积里面能够得到的离子数量不同，那么产生相同数量的正负离子所需要的体积就不同，在这里就反映为空间电荷区向着各自半导体区域延伸的长度不同，导致P型和N型的空间电荷区长度不同。同理，也能解释为什么高掺杂的情况下PN结变窄。
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原文地址：http://www.cnblogs.com/33shui-1NOlol/p/4783805.html
