[国嵌笔记][029][ARM处理器启动流程分析v2]

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2440启动流程

启动方式：nor flash启动、nand flash启动

地址布局：

选择nor flash启动时，SROM(nor flash)地址为0x00000000

选择nand flash启动时，SRAM（SteppingStone）地址为0x00000000

SDRAM(内存)地址为0x30000000

启动流程：

1.第一阶段

首先，处理器复制nand flash的BL1(前4KB)到Steppingstone中，执行BL1(bootloader第一部分)。然后，复制BL2(bootloader第二部分)到内存中。接着，跳转到内存中

2.第二阶段

在内存中继续执行BL2

备注：在datasheet的MEMORY CONTROLLER和NAND FLASH CONTORLLER可以找到相关描述

6410启动流程

启动方式：SD启动、nand flash启动

地址布局：

MirroredRegion(映射区域)地址为0x00000000

iROM(内部固件)地址为0x08000000

SteppingStone(垫脚石)地址为0x0C000000

SDRAM(内存)地址为0x50000000

启动流程：

1.第一阶段

首先，执行内部固件的BL0初始化相关硬件，并复制nand flash的BL1(前8KB)到SteppingStone中。然后，跳转到SteppingStone中

2.第二阶段

首先，执行BL1(bootloader第一部分)。然后，复制BL2(bootloader第二部分)到内存中。接着，跳转到内存中

3.第三阶段

在内存中继续执行BL2

备注：在datasheet的Device Specific Address Space和s3c6410_internal_rom_booting可以找到相关描述

210启动流程

启动方式：SD启动、nand flash启动

地址布局：

MirroredRegion(映射区域)地址为0x00000000

iROM(内部固件)地址为0xD0000000

iRAM(SteppingStone)地址为0xD0020000

DRAM(内存)地址为0x20000000

启动流程：

1.第一阶段

首先，执行内部固件的BL0初始化相关硬件，并复制nand flash的BL1(前16KB)到SteppingStone中。然后，跳转到SteppingStone中

2.第二阶段

首先，执行BL1(bootloader第一部分)。然后，复制BL2(bootloader第二部分)到内存中。接着，跳转到内存中

3.第三阶段

在内存中继续执行BL2

备注：在datasheet的DEVICE SPECIFIC ADDRESS SPACE和S5PV210_iROM_ApplicationNote_Preliminary可以找到相关描述

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原文地址：http://www.cnblogs.com/d442130165/p/4899817.html