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2、SDRAM内存工作原理
上面产生的误解关于 Bank ，这个bank 不是 和 S3C2440 芯片有关系（RAM 自身有bank ， SDRAM 自身也有bank ，就像书 有 好几章节一样）
所以人们在 SDRAM内部分割成多个 L-Bank，目前基本都是 4个（这也是SDRAM规范中的最高L-Bank数量），由此可见，在进行寻址时就要先确定是哪个 L-Bank，然后在这个选定的 L-Bank中选择相应的行与列进行寻址。因此对内存的访问，一次只能是一个 L-Bank工作。如图2-50
当对内存进行操作时（见下图），先要确定操作L-Bank，因此要对L-Bank进行选择。在内存芯片的外部管脚上多出了两个管脚BA0, BA1，用来片选4个L-Bank
内存外接管脚地址线只有13根地址线A0~A12，它最多只能寻址8KB内存空间，到底使用什么机制来实现对64M内存空间进行寻址的呢？
SDRAM的行地址线和列地址线是分时复用的，即地址要分两次送出，先送出行地址（nSRAS行有效操作），再送出列地址（nSCAS列有效操作）。这样，可以大幅度减少地址线的数目，提高器件的性能和制作工艺复杂度。
但寻址过程也会因此而变得复杂。实际上，现在的SDRAM一般都以L-Bank为基本寻址对象的。由L-Bank地址线BAn控制L-Bank间的选择，
行地址线和列地址线贯穿连接所有的L-Bank，每个L-Bank的数据的宽度和整个存储器的宽度相同，这样，可以加快数据的存储速度。同时，BAn还可以使未被选中的L-Bank工作于低功耗的模式下，从而降低器件的功耗。
开发板内存控制器管脚接线（以MINI2440开发板为例）-
上图是S3C2440提供的两片16位芯片并联连接示意图，An是CPU地址总线，其中A2~A14为内存芯片寻址总线，之所以地址寻址总线从A2开始是因为内存地址都是按字节对齐的，，A24，A25为L-Bank片选信号，Dn为CPU数据总线，其它为对应控制信号线。
通过S3C2440 16位宽内存芯片接线图可以看出，两片内存芯片只有两个地方不一样，LDQM, UDQM和数据总线DQn接线方式不一样。
{LDQM和UDQM}
由于存储芯片位宽为16位，一次可以进行两个字节的读取。但是，通常操作系统里最小寻址单位是1字节，因此内存控制器必须要保证可以访问内存里每一个字节。UDQM ，LDQM分别代表16位数据的高，低字节读取信号，当读取数据时，LDQM /UDQM分别用来控制16位数据中高低字节能否被读取，当LDQM /UDQM为低电平时，对应的高/低字节就可以被读取，如果LDQM /UDQM为高电平时，对应的高/低字节就不能被读取。当向内存里写入数据时，LDQM /UDQM控制数据能否被写入，当LDQM /UDQM为低电平时，对应的高/低字节就可以被写入，如果LDQM /UDQM为高电平时，对应的高/低字节就不能被写入。通过对LDQM /UDQM信号的控制可以控制对两个存储芯片存储数据，由于两个存储单元的地址线是通用的，他们都能接收到CPU发出的地址信号，但是，发给两个存储单元的LDQM /UDQM信号是不同的，以此来区分一个字的高低字节。
S3C2440A为32位CPU，也就是说其数据总线和地址总线宽度都是32位（可以理解为32根线一端连接CPU内部，另外一端连接向内存控制器），那么内存数据的输入/输出端也要保证是32位总线，MINI2440上采用两片16位宽总线内存芯片并联构成32位总线。其中一个芯片连接到CPU数据总线的低16位，另外一个芯片连接到数据总线上的高16位，并联成32位总线，因此两个芯片的输入/输出总线连接到CPU总线上的不同管脚上。
总结： 知道这些就可以了，至于读写操作，这些 都是大神干的事情，偶们并不需要完全理解，当然时间够的话，理解了是好事，这个SDRAM芯片的时序图懂了，看其他的 datasheet 基本也不会有什么问题。记住不要舍本求末。
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再次总结： // 还是要感谢各位的，一下子明白 为什么是64M
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原文地址：http://www.cnblogs.com/shengruxiahua/p/5088007.html
