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8.NandFlash原理分析

时间:2016-02-14 11:37:14      阅读:224      评论:0      收藏:0      [点我收藏+]

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8.NandFlash原理分析

该节里主要是将NandFlash有关的知识,首先是NandFlash的角色、分类和访问方式。

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  1. 角色分析:在个人的pc机中,使用硬盘来存储操作系统、数据等信息。在嵌入式领域,拥有硬盘功能的叫NandFlash。所以NandFlash就是存储信息的。
  2. NandFlash分类:

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SLC原理略图:

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MLC原理略图:

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从上面可以看到MLC的存储密度比SLC的存储密度大两倍,他们两者的信息比较:

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接下来是访问方式:

  1. 编址方式。
  2. 地址结构。
  3. 信号引脚。

1.编址方式:

首先看内存的编址方式图(ARM9):

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上面就是内存的原理图,有地址线和数据线,两者都是连接到CPU的。

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可以看到NandFlash的原理图里没有像内存的数据线和地址线。这里内存采用的是统一编址的,就是内存包括在地址空间以内的。而NandFlash是在地址空间以外,采用独立编址的。NandFlash的工作简图:

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2.地址结构:

K9F2G08U0A-Nand Flash的基本构成:

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上面可以看到一个NandFlash的device被划分为多个块,每个块又被划分为多个页,每个页里又被划分为(2K+64)Bytes。其中2K是存数据的主数据区,64Bytes是存校验码等信息的空闲数据区。

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行地址就是Page的编号,要访问存储单元,需要先知道Page的编号(列地址),列地址就是在Page里的偏移,就能够定位到要访问的单元了。

3.引脚信号:

剩下引脚的信号信息。

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8.NandFlash原理分析

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原文地址:http://www.cnblogs.com/FORFISH/p/5188799.html

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