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1.启动方式
（1）norflash：2MB，从norflash的0地址处开始运行第一条代码，所以代码一定要放在norflash的最前端
（2）nandflash：128MB，但是nandflash没有参与同一编址，不能直接访问，需要访问特殊寄存器才可以访问，所以要从片内的4KB的boot SRAM开始执行，即0地址是排放boot sram（stepping stone），上电之后处理器自动将nandflash前4KB的内容复制到boot sram开始执行，通过bootsram来初始化相关硬件和寄存器从而访问nandflash，接下来把剩余的bootloader复制到内存（SDRAM/DRAM）中，当stepping stone 里面的4KB执行完以后跳转到内存继续执行，再接下来将内核复制到内存，从而启动操作系统。而内存要求从0x30000000开始band6开始（2440）
2.地址布局
关键词：mapping3.具体流程
关键词：booting
4.SROM也就是norflash
oneNAND既有nor的特性也有nand的特性
5.6410还支持MODEM启动
6.SD卡和nand都划归为IROM：处理器内部的固件/存储器，但不是stepping stone
7.6410地址布局
8.6410的0地址处开始是镜像区，不放置任何设备，是通过映射关系将其他设备映射到镜像区域。根据启动方式不同可以映射到不同设备。
9.6410的nandflash启动属于irom的一种，而irom里面存放的是厂商给用户写好的一些软件，如bootloader0，上电后就是取irom里面的程序来执行。通过BL0（bootloader0）将nand的前8KB拷贝到stepping stone运行，然后和2440类似。
10. 210和6410类似，都支持从irom启动，nand启动是其中的一种。但是在210中stepping stone叫做IRAM，有96KB，由于垫脚石的增大，会拷贝bootloader 2 到垫脚石，而不是直接到内存。一般情况BL1最大是16KB，BL2最大尺寸是80KB。若BL2大于80KB，则要求BL1将BL2直接拷贝到内存，而不能拷贝到垫脚石。0地址也是镜像区域，通过映射关系取代码。
11.210的启动流程（BL0是厂商写好的）
12.210的地址布局
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原文地址：http://www.cnblogs.com/chd-zhangbo/p/5270892.html
