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在电源的设计中，经常会需要用到电子开关，MOSFET的电压驱动特性决定了它是作为开关的最佳选择。
下图是几种FET的导通特性的示意图。顺便说一句，JFET都是耗尽型（depletion-mode）的；MOSFET可以是增强型（enhancement-mode）或者耗尽型，但实际中很少见到耗尽型的；它们都有n沟道和p沟道型。所以，只需要关注图中所示的几种FET就行了。
可以看出，对于PMOS，当Vgs大于Vt时，它是完全截止的。也就是说，当Vg>=Vs时，PMOS是保证截止的。这一特性使得PMOS适合用在“高压侧”作为电源开关。源极接到输入电压，漏极接负载，负载接地。当栅极接地时PMOS就导通，栅极接到源极PMOS就截止。
相反的，对于NMOS，当Vgs大于Vt时，它开始出现Id。也就是说，当Vg<=Vs时，NMOS是保证截止的。这一特性使得NMOS适合用在“低压侧”作为电源开关。电源接到负载，负载接到漏极，源极接地。当栅极接地时NMOS就截止，栅极电压高于导通电压，也就是数据手册中的Vgs(th)时，NMOS导通。
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