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兆易创新2016秋季校招_器件工程师笔试题

时间:2016-09-13 16:19:48      阅读:260      评论:0      收藏:0      [点我收藏+]

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1、CMOS中哪些制造步骤中用到了离子注入,需要注意哪些?
2、有哪些薄膜制备方法?各有什么优缺点?
3、COMS的制作步骤,简要叙述。
4、载流子的输运方式有哪些,简要叙述。
5、半导体中缺陷种类,杂质的类型,缺陷杂质的危害,如何避免杂质缺陷。
6、为何固体有超导体,导体,半导体,绝缘体?
7、缓变PN结和突变PN结区别,如何制作,有何应用?
8、CMOS的IV特性曲线,各个阶段的意义,如何让器件有效工作?
9、质量测试中的加速失效作用。
10、氧化层的击穿过程,如何避免击穿?
附加题:NOR和NAND Flash的区别,从电路,工作原理等方面阐述

兆易创新2016秋季校招_器件工程师笔试题

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原文地址:http://www.cnblogs.com/xiaofeixia2009/p/5868603.html

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