存储控制器和SDRAM 实验

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@ File：head.S
@ 功能：设置SDRAM，将程序拷贝到SDRAM，然后跳到SDRAM继续运行
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.equ				MEM_CTL_BASE,				0x48000000
.equ				SDRAM_BASE,					0x30000000

.text
.global _start
_start:
		bl 	disable_watch_dog									@ 关闭看门狗
		bl 	memsetup													@ 设置存储控制器
		bl 	copy_steppingstone_to_sdram				@ 复制代码到SDRAM中
		ldr pc, =on_sdram											@ 跳到SDRAM中继续运行
on_sdram:
		ldr sp,=0x34000000											@ 设置堆栈
		bl 	main
halt_loop:
		b 	halt_loop


disable_watch_dog:
		@ 往 WATCHDOG 寄存器写0 就可以
		mov r1,			#0x53000000
		mov r2,			#0x0
		str r2,			[r1]
		mov pc, 		lr         @返回
		
		
copy_steppingstone_to_sdram:
		@ 将Steppingstone的4K数据所有拷贝到SDRAM中
		@ Steppingstone起始地址为 0x00000000。SDRAM中起始地址为 0x30000000
	
		mov r1, #0
		ldr r2, =SDRAM_BASE
		mov r3, #4*1024
1:
		ldr r4, [r1],#4				@ 从Steppingstone读取4字节的数据，并让源地址加4
		str r4, [r2],#4				@ 将此4字节的数据拷贝到SDRAM中，并让目地地址加4
		cmp r1, r3						@ 推断是否完毕：源地址等于 Steppingstone 的末地址
		bne 1b								@ 若没有复制完，继续
		mov pc,  lr						@ 返回
		
		
memsetup:
		@ 设置存储控制器以便使用 SDRAM 等外设
		mov r1,		#MEM_CTL_BASE				@ 存储控制器的13个寄存器的開始地址
		adrl			r2, mem_cfg_val			@ 这13个值的起始存储地址
		add r3,		r1, #52							@ 13*4 = 52
1:
		ldr r4, 	[r2], #4						@ 读取设置值。并让 r2 加 4
		str r4,   [r1], #4						@ 将此值写入寄存器，并让 r1 加 4
		cmp r1,   r3									@ 推断是否设置完所有13个寄存器
		bne 1b												@ 若没有写成，继续
		mov pc,   lr									@ 返回
		
.align 4
mem_cfg_val:
	@  存储控制器 13 个寄存器的设置值
	
	@ 存储控制器共同拥有 13 个寄存器。 
	@ BANK0 ~ BANK5 仅仅须要设置 BWSCON 和 BANKCONx(x为0~5)两个寄存器： 
	@ BANK6、BANK7 外接SDRAM时，除 BWSCON 和 BANKCONx(x为6~7)外，还要设置 
	@ REFRESH、BANKSIZE、MRSRB6、MRSRB7 等4个寄存器。

	
	@ 位宽和等待控制寄存器 BWSCON (BUS WIDTH & WAIT CONTROL REGISTER)
	@ BWSCON 中每4位控制一个 BANK。最高4位相应 BANK7、接下来4位相应 BANK6，依此类推
	@ STx：启动/禁止 SDRAM 的数据掩码引脚，对于 SDRAM，此位为0。对于 SRAM。此位为 1
	@ WSx：是否使用存储器的 WAIT 信号，通常设为 0
	@ DWx：使用两位来设置相应 BANK 的位宽， 0b00 相应8位。 0b01 相应16位。0b10 相应32位，0b11表示保留
	@ 比較特殊的是 BANK0。它没有 ST0 和 WS0。DW0([2:1])仅仅读---由硬件跳线决定：
	@ 0b01 相应16位，0b10 相应32位。BANK0 仅仅支持16、32两种宽度
	@ 对于本开发板(JZ2440)。能够确定 BWSCON 寄存器的值为： 0x22011110
	.long		0x22011110							@ BWSCON
	
	@ BANK 控制寄存器 BANKCONx(BANK CONTROL REGISTER, x 为 0~5)
	@ 这几个寄存器用来控制 BANK0 ~ BANK5 外接设备的訪问时序，使用默认的 0x0700 就可以
	.long   0x00000700							@ BANKCON0
	.long   0x00000700							@ BANKCON1
	.long   0x00000700							@ BANKCON2
	.long   0x00000700							@ BANKCON3
	.long   0x00000700							@ BANKCON4
	.long   0x00000700							@ BANKCON5
	
	@ BANK 控制寄存器 BANKCONx(BANK CONTROL REGISTER, x 为 6~7)
	@ 在8个BANK中，仅仅有BANK6和BANK７能够外接SRAM或SDRAM，
	@ 所以BANKCON6 ~ BANKCON7 与 BANKCON0 ~ BANKCON5 有点不同
	@ MT([16:15]) 用于设置本 BANK 外接的是 ROM/SRAM 还是 SDRAM。
	@ MT=0b00 时，此寄存器与 BANKCON0 ~ BANKCON5 相似。
(外接SRAM)
	@ MT=0b11 时，此寄存器其他值例如以下设置。(外接SDRAM)
	@ Trcd([3:2]) RAS to CAS delay，设置推荐值为 0b01
	@ SCAN([1:0]) SDRAM  的列地址位数。对于本开发板使用的 SDRAM K4S561632，
	@ 列地址位数为 9。 所以 SCAN = 0b01。假设使用其他型号的 SDRAM， 须要查看其数据手冊来决定 SCAN 的取值。

	@ 0b00 表示8位， 0b01 表示9位， 0b10 表示10位
	@ 综上所述，本开发板中 BANKCON6/7 均设为 0x00018005
	.long   0x00018005							@ BANKCON6
	.long   0x00018005							@ BANKCON7
	
	@ 刷新控制寄存器 REFRESH(REFRESH CONTROL REGISTER): 设为 0x008C0000 + R_CNT
	@ REFEN([23])	0 = 禁止 SDRAM 的刷新功能。 1 = 开启 SDRAM 的刷新功能
	@ TREFMD([22]) SDRAM 的刷新模式。
0 = CBR/Auto Refresh， 1 = Self Refresh(一般在系统休眠时使用)
	@ Trp([21:20]) 设为 0 就可以。
	@ Tsrc([19:18]) 设为默认值 0b11 就可以。

	@ Refresh Counter([10:0]) 即上述的 R_CNT
	@ R_CNT 可例如以下计算 (SDRAM 时钟频率就是 HCLK)
	@ R_CNT = 2 ^ 11 + 1 - SDRAM 时钟频率(MHz) * SDRAM 刷新周期 (uS)
	@ SDRAM 的刷新周期在 SDRAM 的数据手冊上有标明，在本开发板使用的 SDRAM K4S561632 的数据手冊上，
	@ 可看见这么一行 "64 ms refresh period (8K Cycle)"
	@ 所以。刷新周期 = 64ms/8192 = 7.8125 us
	@ 在未使用 PLL 时， SDRAM 时钟频率等于晶振频率 12 MHz
	@ 如今能够计算： R_CNT = 2 ^ 11 + 1 - 12 * 7.8125 = 1955
	@ 所以，在末使用 PLL 时， REFRESH = 0x008C0000 + 1955 = 0x008C07A3
	.long   0x008C07A3							@ REFRESH
	
	@ BANKSIZE 寄存器 REFRESH (BANKSIZE REGISTER)
	@ BURST_EN([7]) 0 = ARM 核禁止突发传输。 1 = ARM 核支持突发传输
	@ SCKE_EN([5]) 0 = 不使用 SCKE 信号令 SDRAM 进入省电模式。 1 = 使用 SCKE 信号令 SDRAM 进入省电模式
	@ SCLK_EN([4]) 0 = 时刻发出 SCLK 信号， 1 = 仅在訪问 SDRAM 期间发出 SCLK 信号
	@ BK76MAP([2:0]) 设置 BANK6/7 的大小
	@ BANK6/7 相应的地址空间与 BANK0~5 不同。 BANK0~5 的地址空间大小都是固定的 128MB，
	@ 地址返回是 (x*128M) 到 (x+1)*128M-1。 x表示 0 到 5。BANK6/7 的大小是可变的，
	@ 以保持这两个空间的地址连续，即 BANK7 的事实上地址会随它们的大小变化。BK76MAP 的取值意义例如以下：
	@ 0b010 = 128M/128M
	@ 0b001 = 64MB/64MB
	@ 0b000 = 32MB/32MB
	@ 0b111 = 16MB/16MB
	@ 0b110 = 8MB/8MB
	@ 0b101 = 4M/4M
	@ 0b100 = 2M/2M
	@ 本开发板 BANK6 外接64MB的 SDRAM。 令[2:0]=0b001 (64MB/64MB)
	@ 表示 BANK6/7 的容量都是64MB。尽管 BANK7 没有使用
	@ 综上所述。本开发板 BANKSIZE 寄存器的值可算得 0xB1
	.long   0x000000B1							@ BANKSIZE
	
	@ SDRAM 模式设置寄存器 MRSRBx (SDRAM MODE REGISTER SET REGISTER, x为6~7)
	@ 能改动的仅仅有位 CL([6:4])，这是 SDRAM 时序的一个时间參数：
	@ 0b000 = 1 clocks， 0b010 = 2 clocks。 0b011 = 3 clocks
	@ SDRAM K4S561632 不支持 CL = 1的情况，所以位[6:4]取值为 0b010 或 0b011 。

	@ 本开发板取最保守的值 0b011， 所以 MRSRB6/7 的值为 0x30
	.long   0x00000030							@ MRSRB6
	.long   0x00000030							@ MRSRB7
		

// leds.c
#define	GPFCON		(*(volatile unsigned long *)0x56000050)
#define	GPFDAT		(*(volatile unsigned long *)0x56000054)

#define	GPF4_out	(1<<(4*2))
#define	GPF5_out	(1<<(5*2))
#define	GPF6_out	(1<<(6*2))

void  wait(volatile unsigned long dly)
{
	for(; dly > 0; dly--);
}

int main(void)
{
	unsigned long i = 0;
	
	GPFCON = GPF4_out|GPF5_out|GPF6_out;		// 将LED1,2,4相应的GPF4/5/6三个引脚设为输出

	while(1){
		wait(30000);
		GPFDAT = (~(i<<4));	 	// 依据i的值，点亮LED1,2,4
		if(++i == 8)
			i = 0;
	}

	return 0;
}

#Makefile
sdram.bin : head.S leds.c
	arm-linux-gcc -g -c -o head.o head.S
	arm-linux-gcc -g -c -o leds.o leds.c
	arm-linux-ld -Ttext 0x30000000 -g head.o leds.o -o sdram_elf
	arm-linux-objcopy -O binary -S sdram_elf sdram.bin
	arm-linux-objdump -D -m arm sdram_elf > sdram.dis
clean:
	rm -f sdram.dis sdram.bin sdram.dis *.o