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一种提高单片机i/o口驱动能力的方法

时间:2017-06-18 20:00:39      阅读:204      评论:0      收藏:0      [点我收藏+]

标签:data   jsb   style   实验   view   效果图   term   直流电   center   

一、简述问题

当你用单片驱动发光二极管的时,你还感觉不到P0、P1口的差别。(10-20mA之间,当中P0驱动能力最强,但对于驱动直流电机依旧非常弱。其结果就是电机不转)。那么有什么办法提高驱动能力吗?以下就来介绍本文的一种简单方法。

二、实验元件

NPN三极管:s8050  (管脚序列为:EBC)      元件介绍:http://baike.baidu.com/view/3467208.htm?fr=aladdin

推断方法:平面对着自己。三个管脚朝下,从左到右依次为 (E 发射极)、(B基极)、 (C集电极) 

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 2个1.5K电阻(串联发光二极管)

 1个3K电阻(串联于P2^2和三极管B极之间)

三、实验原理图

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四、对照实验

原理:通过直接用I/O口。串联1.5K电阻驱动发光二极管 VS 通过s8050上述方法驱动发光二极管,依据发光亮度对照驱动能力。

效果图:

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五、实验结果

通过对照亮度,能够明显发现用此方法的驱动能力明显高于,直接I/o口。

另外,用直流电机实验。结果是io口直接不能驱动(电机不转),而此方法能够完美驱动。

(该方法也可用于驱动数码管。获得较高亮度)

一种提高单片机i/o口驱动能力的方法

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原文地址:http://www.cnblogs.com/mthoutai/p/7045026.html

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