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目的：很多单电池的机器在大负载的情况下，如把背光开到最亮，运行3D游戏，此时拔DC电源很容易出现机器死机，或花屏现象；
原因：Q5的导通时间不够，希望通过G极的快速放电，加快到导通时间；
修改前的电路：
（电池电压为3.65V时切换，黄色表示VB，绿色MOS的G极）运行3D游戏时，拔除充电电源，MOS管转为导通状态需时32ms左右，VB drop为725mV.
（电池电压为3.4V时切换，黄色表示VB，绿色MOS的G极）运行3D游戏时，拔除充电电源，MOS管转为导通状态需时11ms左右，VB drop为970mV，系统重启。
修改后：
（电池电压为3.65V时切换，黄色表示VB，绿色MOS的G极）运行3D游戏时，拔除充电电源，MOS管转为导通状态需时0.16ms左右，VB drop为200mV左右.
（电池电压为3.4V时切换，黄色表示VB，绿色MOS的G极）运行3D游戏时，拔除充电电源，MOS管转为导通状态需时0.16ms左右，VB基本没有drop，系统没有重启。
结论： 从以上实验可以看出，修改后的电路在充电器拔除时能更快的使MOS管自身结电容的电荷放干净，MOS管更快导通。单电池低压时拔除充电电源带来的问题可以很好解决。
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原文地址：http://www.cnblogs.com/heiyue/p/3965074.html
