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DRAM和SRAM的特性:
动态RAM(DRAM)
DRAM将每个位存储为一个电容的充电。每个DRAM芯片被连接到某个成为存储控制器的电路,电路可以一次传送w位到每个DRAM芯片或一次从每个DRAM芯片传出w位。
存储器模块
磁盘容量的计算:
磁盘容量=(字节数/扇区) * (平均盘区数/磁道) * (磁道数/表面) * (表面数/盘片) * (盘片数/磁盘)
假设一个磁盘,5个盘片,每个扇区512字节,每个面20000条磁道,每条磁道平均300个扇区。(注:每个盘片两个表面)
磁盘容量=(512) * (300) * (20000) * (2) * (5)=30 720 000 000字节=30.72GB
磁盘对扇区的访问时间计算:
磁盘对扇区的访问时间有三个部分:寻道时间、旋转时间、传送时间。
寻道时间:为了读取某个扇区的内容,传动臂先将读/写头定位到包含目标扇区的磁道上,移动传动臂所需的时间即为寻道时间。
T(avg seek)通常为3~9ms。
旋转时间:一旦读/写头定位到了期望的磁道,驱动器等待目标扇区的第一个位旋转到读/写头下。
T(max rotation)=(1s/RPM) * (60secs/1 min)
T(avg rotation)=1/2 * T(max rotation)
传送时间:一个扇区的传送时间依赖于旋转速度和每条磁道的扇区数目。
T(avg transfer)= (1s/RPM) * (1/(平均扇区数/磁道)) * (60secs\1min)
例题————一个有如下参数的磁盘:旋转速率:7200 RPM,T(avg seek)=9ms,每条磁道的平均扇区数:400
平均旋转延迟:T(avg rotation)=1/2 * T(max rotation)
=1/2 * (60sec/7200 RPM) * (1000ms/sec)
=4 ms
平均传送时间:T(avg transfer)=(60/7200 RPM) * (1/400) * (1000ms/sec)=0.02 ms
局部性的两种形式:时间局部性和空间局部性;良好的时间局部性程序中,被引用过一次的存储器位置很可能在不远的将来再被多次引用。重复引用同一个变量的程序具有良好的时间局部性。良好的空间局部性程序中,一个存储器位置被引用了一次,程序很可能在不远的将来引用附近的一个存储器位置。
中心思想是:对于每个k,位于k层的更快更小的存储设备作为位于k+1层的更大更慢的存储设备的缓存。层次结构中的每一层都缓存来自较第一层的数据对象。
int sumarray3d(int a[N][N][N]){
int i,j,k,sum=0;
for(i=0;i<N;i++)
for(j=0;j<N;j++)
for(k=0;k<N;k++)
sum+=a[i][j][k];
return sum;
}
结对学习内容
代码行数(新增/累积) | 博客量(新增/累积) | 学习时间(新增/累积) | 重要成长 | |
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目标 | 5000行 | 30篇 | 400小时 | |
第一周 | 195/195 | 1/1 | 10/10 | |
第三周 | 314/706 | 1/2 | 15/25 | |
第五周 | 254/960 | 1/3 | 10/35 | |
第七周 | 24/1759 | 1/4 | 15/50 | |
第九周 | 1207/2966 | 2/6 | 15/65 |
计划学习时间:12小时
实际学习时间:15小时
2017-2018-1 20155201 《信息安全系统设计基础》第九周学习总结
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原文地址:http://www.cnblogs.com/zhuohua/p/7862994.html