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# 课堂测试(CH6)20155218

时间:2017-12-03 11:45:46      阅读:210      评论:0      收藏:0      [点我收藏+]

标签:png   直接   com   缓存   二维数组   引用   ctp   存储   class   

课堂测试(CH6)

  • 下面代码中,对数组x填充后,采用直接映射高速缓存,所有对x和y引用的命中率为(D)
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A .
1
B .
1/4
C .
1/2
D .
3/4

解析:在x[0],y[0]时发生强制不命中,在x[4],y[4]时发生冲突不命中。1-4/16=3/4
  • 下面说法正确的是(ABC)
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A .
存储层次结构中最小的缓存是寄存器
B .
存储层次结构的中心思想是每一层都缓存来自较低一层的数据对象
C .
L4主存可以看作是L5:本地磁盘的缓存
D .
L4主存可以看作是L6的缓存

解析:对于每个k,位于k层的更快更小的存储设备作为位于k+1层的更大更慢的存储设备的缓存,即层次结构中的每一层都缓存来自较低一层的数据结构。位于顶端的cpu寄存器组必然是最小的缓存,则L4主存为下一级L5的缓存。

-下面代码的步长是(C)
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A .
1
B .
N
C .
NN
D .
N
N*N

解析:假设N为2,则内容依次为000,001,010,011,100,101,110,111.

由此可见步长为4.

  • 下面(B)是I/O总线

A .
USB
B .
PCI
C .
网卡
D .
图形卡

解析:输入输出设备都是通过I/O总线,例如intel的外围设备互联(Peripheral Component Interconnect,PCI)总线连接到CPU和主存的。
  • 计算下面磁盘的容量(C):4个盘片,100000个柱面,每条磁道400个扇区,每个扇区512个字节
    A .
    81.92GB
    B .
    40.96GB
    C .
    163.84
    D .
    327.68GB

    解析: n×t×s×b

其中n为保存数据的总盘面数;t为每面磁道数;s为每道的扇区数;b为每个扇区存储的字节数。而题目中为4个盘片,所以应有8个盘面;容量=2x4x100000x400x512=16384000000字节=163.84G

  • 有关RAM的说法,正确的是(ADEG )

A .
SRAM和DRAM掉电后均无法保存里面的内容。
B .
DRAM将一个bit存在一个双稳态的存储单元中
C .
一般来说,SRAM比DRAM快
D .
SRAM常用来作高速缓存
E .
DRAM将每一个bit存储为对一个电容充电
F .
SRAM需要不断刷新
G .
DRAM被组织为二维数组而不是线性数组

### 解析:在p400页课本上,“SRAM的存取比DRAM快”,不知道选项C哪里错了。

# 课堂测试(CH6)20155218

标签:png   直接   com   缓存   二维数组   引用   ctp   存储   class   

原文地址:http://www.cnblogs.com/xzh1996/p/7898353.html

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