驱动：编写任何设备的驱动程序，都需要对该设备的原理有一定了解和认识。对于外部设备的访问总是需要通过一个控制器来间接访问，对于这个控制器的控制程序称为驱动程序
Nandflash 原理：
一：角色分析
数据存储的物理介质
二：Nandflash 分类
根据不同的方式可以将Nandflash 分出不同的类别出来，这里采用物理结构的方式来分类
（1）SLC(single level cell)：单层次存储
（2）MLC(multi level cell)：多层次存储
特点比较：
1)SLC 的存储格上只存储以为数据，而MLC的存储格上却存储两位数据，所以MLC的单位存储容量价格比SLC 更低
2)SLC使用寿命更长，SLC 10万次擦写，MLC只有1万次
3)SLC 比MLC访问速度更快，大约是3倍
4）MLC比SLC的功耗更高，大约高出15%
三：访问方式
（1）编址
注意：内存采用的是统一编址的方式，Nandfash采用的是独立编址的方式
1）内存单元既有地址总线，也有数据总线，然而Nandflash，地址和数据总线是复用的。
2）由于Nandflash 不像内存一样通过统一编址，那么怎么访问Nandflash呢？在cpu内部有一个叫做“Nandflash控制器”的东西，用来控制访问Nandflash
（2）地址结构
1）Nandflash控制器总共只有8个I/O管脚与之相连，明显根数太少，所以数据（地址或数据）是分几次送入的。
2）CPU内部的Nandflash控制器中，有几个寄存器，一个是“地址数据寄存器”，另外一个是“指令数据寄存器”，还有“数据寄存器”，这些寄存器的地址是统一编址的。实际上三个寄存器统称为“数据寄存器”，只是存放的数据的功能各不同。
地址——命令——数据
Nandflash 物理结构：
3）由图可知：
一个NandFlash被分为了，2048个块，每一个块又被分为64个页，每一个页被分为2k的空间，外加64byte 的空间用来放置校验码之类的。
4）对nandflash的读有两种方式：
页读：一种是给出页地址，一次将怎个页的内容读出来（只需要提供页地址，即为行地址）
随机读：另外一个方式是将页中的某个字节读出来。（需要给出行地址和列地址）
（3）信号引脚
控制引脚的含义如上图。
四：对Nandflash 的读操作
对于一些复杂的设备的操作，看懂时序图是一个很重要工作，按照时序图，根据I/O管脚上的信号有节奏的控制设备。
时序图：
Nandflash控制寄存器/Nandflash 配置寄存器（初始化配置）：
作用分析：
用于初始化nandflash ，因为任何一个硬件的使用都必须事先进行初始化。
Nandflash控制寄存器
作用：
NFCONT 用于片选控制
nandflash 配置寄存器：
NFCONF 用于初始nandflash的时序控制，主要用于配置该寄存器中的TACLS TWRPH0 TWRPH1 这几个位。
作用分析：
根据上表可以算得各部分时间的最小值，然后根据此值，进行配置
重启控制方式时序逻辑：
写入时序逻辑图：
根据I/O管脚上的命令流，有节奏的操作
写入时序逻辑图：
根据I/O管脚上的命令流，有节奏的操作
擦除时序逻辑：
根据I/O管脚上的命令流，有节奏的操作
