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1.漂移电流
对半导体施加一定的电场,半导体中就有电流流过。带点粒子在电场作用下做漂移运动,由此产生的电流成为漂移电流。
2.迁移率
电场强度较低的情况下,载流子的漂移速度v和电场强度E成正比,比例常数称为迁移率。
3.速率饱和
载流子的速率不能无限增加不可能超过光速。对于Si,速率--电场的线性关系只适用于电场强度低于5000V/微米的情况。当电场强度超过5000V/微米时,电子和空穴的速率均达到饱和。
4.本征硅的电阻率
总漂移电流密度是电子和空穴的漂移电流密度之和。
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原文地址:http://blog.csdn.net/njupt_program/article/details/39505927