标签：位置 能力 直接 pcb 技术分享 避免 信号 加速 仿真
图腾柱就是上下各一个晶体管，上管为NPN，c极接正电源，下管为PNP，e极接负电源，注意，是负电源，是地。两个b极接到一起，接输入，上管的e和下管的c接到一起，接输出。用来匹配电压，或者提高IO口的驱动能力。有几种图腾柱电路的变种，一种是两管全用NPN，但是下管通过一个反相器接到输入，也起到同样作用；还有一种是下管的e接到地，两管之间靠一个稳压管代替负电源。
1）首先要确定的是你需要多少的驱动能力？要驱动的负载（一般可认为是功率管）有多少？以MOSFET为例，驱动其实就是对MOS的门级电容的充放电，这就要考虑你有几个MOS并联，门级电容有多大？MOS的Rg有多大，加上驱动回路寄生电感等，其实就是一个LRC串联回路。
2）驱动能力用个简化的公式来算就是I=C*Du/Dt，MOS的门级电容先确定，再来考虑你准备要几V的门级电压，然后就是这个电压建立和消除的时间，也就牵涉到MOS的开通关断速度，这会直接影响到功率管的损耗及其它问题，如应力等。这几个想好了，所要的驱动电流也就出来了。
3）得到这个所要的驱动电流，再考虑上驱动回路的一堆寄生参数等，也就可以推出你图腾柱电路需提供多少驱动电流（注意这是个脉冲电流）。
4）这个时候再考虑的就是你PCB板layout的空间，位置，准备为这个电路花多少钱选器件，用MOS还是BJT，综合考虑，然后就想办法选器件吧，当然还要考虑IC的输出信号和你选的图腾柱器件（MOS或BJT）之间也是个回路，这会不会有问题？
5）另外要考虑的是，这个图腾柱能不能彻底关掉，这就又要考虑N在上还是P在上，正开还是负开，比如选用PMOS做关断，关断时图腾柱输出会仍有一个等于Vgs电压的电压加在你的负载MOS上，如果这个电压高于你的负载MOS门槛的话，----这就意味着你没关掉，虽然你前面关掉了。更痛苦的是，前面和后面的MOS门槛电压tolerance都会非常大，再考虑到温度系数。
6）还要重点考虑的是图腾柱的器件也是要损耗功率的，所以要考虑它的温度及功耗会不会有问题。
总之，具体用时要考虑的问题还真不少，单挑一个出来都非常简单，但加到一块，还真要花点时间研究计算一下。因为是做产品，所有的规格参数，寄生参数，tolerance，温度，cost，PCB空间等等等等，前前后后的一堆问题都得面对，不象写paper或仿真，抓住一点，其它都可考虑为理想状态，这样当然很快可以推出理想的结果。
1、驱动MOS管或IGBT管，某些管子可能需要比较大的驱动电流或者灌电流，这时候就需要用到图腾柱电路，图腾柱的基本电路如图所示。
2、在实际使用中，如果我们就按照图中所示的电路的话，往往会因为走线电感与管子的结电容引起谐振而带来问题。这时候我们可以增加电路图中的R1与D1加速放电，避免引起共振。
3、如果我们的设备整个抗干扰能力较弱的话，我们会发现，图腾柱电路很容易受到干扰而产生有误动作。
4、为了提升图腾柱的抗干扰能力，我们可以将电路改为下图所示。
5、如果还存在问题，可以增加图中所示电容，就能完美解决图腾柱容易受到干扰等问题。
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原文地址：https://www.cnblogs.com/jacklong-yin/p/8865451.html
