标签：采集 工作原理 系统 ram 配置 上位机 上电 间隔 模式
博主上一篇介绍了一些SDRAM的基本原理是否有必要学习使用纯Verilog写一个SDRAM控制器，接下来记录SDRAM控制器的工作原理。首先是上电初始化。
时序图中，tRP、tRC、这些时间参数可以从手册中找到，这里的系统时钟采用50Mhz。
从初始化的时序图可以看出，首先在进行预充电（Precharge）命令之前要等待100us（手册要求是至少100us，我们设定延时200us），等待系统上电稳定和时钟稳定，然后对所有bank进行预充电（Precharge），经历一个trp（20ns，一个时钟周期，手册可以查询）时间，然后进行至少两次自刷新（Auto refresh）（我这里设置进行8次自刷新，），每次自刷新至少需要trc（63ns，四个时钟周期，手册查询）时间，最后进行模式寄存器（MODE register）的配置，需要tmrd（两个时钟周期）时间，初始化完成。
预充电时当A10为高电平对所有的bank进行操作，当A10为低电平时对单个bank进行操作，BA0，BA1选择bank。我们这里预充电时对所有的bank操作，把A10置高即可。
这里先设置SDRAM的突发长度为4 Addr = 12’b0000_0110_0010
这里仿真需要用到SDRAM的仿真模型，通过仿真模型可以把当前SDRAM进行的操作打印出来，如果有错误也会提示错误，这时候再去查看波形时序。这里需要注意的是仿真的时候sdram_dqm信号必须和仿真模型连接，否则数据是写不进去的，设置sdram_dqm = 0就可以了。
将SDRAM仿真模型添加进去后，要对放着模型的参数进行重定义
对于各个参数的值，不同的SDRAM芯片的参数是不同的，具体根据手册而定，mem_sizes设置的是1个bank的容量。Verilog语法笔记：这种方式可以对例化模块里面已有的宏定义进行重定义，写法是defparam + 例化之后的模块名+ . +需要重定义名。
然后在transcript中输入run 200us，先跑200us等待系统上电稳定，在输入run 50us，如上图所示CAS Latency（列选通潜伏期）为3，burst length（突发长度）为4，burst type（突发类型）顺序（Sequrntial）执行，模式寄存器配置都按照我们设置的进行。
初始化模块设计完成后，对SDRAM已经有了一些简单的了解，下面先来看看SDRAM的工作原理。
粗线——自动跳转，细线——受到命令后才能跳转（看不清楚图片点击阅读原文）
从一个官方给的SDRAM手册的参考状态转移图看，我们可以简单写一下SDRAM的工作流程。这部分用状态机来实现最好不过了。
上电后，给一个Precharge命令，进入Precharge状态，然后自动进入IDLE（初始化）状态，然后给自刷新命令，进入自刷新状态，自刷新完后回到IDLE状态，IDLE状态给一个配置模式寄存器命令，进入模式寄存器的配置，配置完后才能自动回到IDLE状态，然后进行读写状态的操作。
以写操作为例，需要给一个行激发命令，进入行激发状态，给出写命令才能进入写状态，写完后自动返回行激发状态，给一次写命令，会写入一个突发长度的数据，在一行没有写完不需要跳回行激发状态，只需要继续给写命令，只有当一行写完或刷新请求来临或数据写完才会跳出写状态，这里后面设计写模块再讲。数据写完或刷新请求来临或数据写完，需要先进入预充电状态，给一次预充电命令，然后自动跳转到初始状态进行重新等待命令。至于读模块的操作和写模块是完全一样的，读者自行读图。
这里要提的是图中有两个状态WRITEA和READA，这里我们不需要用到，如图也可以看到，这两个状态在进行一次读或写后会自动跳入预充电状态，从而回到初始化状态，这样和WRITE和READ这两个状态相比，读写速度肯定是会慢的，WRITE和READ可以连续给读写命令进行读写，所以直接忽略掉这两个状态不管。
这里要引出一个设计技巧，初始化完成后，进行自刷新和读写操作状态都是相互独立的，所以我们需要写一个状态机去完后这些状态之间的跳转，大概意思就如下图所示，写一个仲裁状态机，当SDRAM控制器要进行自刷新时，自刷新模块需要给一个刷新请求，仲裁状态收到后，就结束当前进行的状态，给一个刷新使能，刷新模块才会进行刷新操作。同样的，当SDRAM控制器要进行写数据时，写数据模块需要给一个写请求，仲裁状态收到后，就结束当前进行的状态，给一个写使能，写数据模块才会进行写操作。后面的模块相应的也是这样的设计。
手册规定SDRAM自刷新需在64ms内刷新4096次（不同型号的芯片对应的不同），必须64ms是因为SDRAM内部使用电容存储数据的，它保证不断电的时间就是64ms。4096次的意思是，我所使用的这款SDRAM芯片它的行地址为A0~A11，一共是12位，2的12次方一共是4096行，我们每给一次刷新命令实际上是刷新一行，且是四个bank同时刷新，所以说一共要刷新4096次。两次刷新间隔15us。刷新是在SDRAM初始化完成后就要开始进行刷新。
从时序图可以看出，先给一个precharge命令（一般都是对all bank进行操作），经过trp（20ns，一个周期）时间进行一次自刷新命令，再过trc时间，进行再一次自刷新命令，然后trc（63ns， 四个周期）时间后激发读或写命令。
在时序图中我们看到了两次自刷新命令，但是实际上只要给一次自刷新命令即可，所以不要被时序图忽悠了，当然给两次也是没有什么关系的。这里的意思是，每次进行自刷新操作都需要给一次预充电即可。
仿真的时候发现我犯了一个错误，就是每15us的刷新操作是不用每次都给预充电（Percharge）命令，但是从另一个状态跳转到自刷新状态是需要给一个预充电（Percharge）命令。之后便不需要再给了，这上面这里的原因是因为在刷新模块里有预充电（Percharge）命令，所以每次状态跳转到执行刷新模块，都会给一个预充电（Percharge）命令。这个问题已经得到解决。如图每15us进行一个自刷新。
关于SDRAM的读模块和写模块操作，下一篇再写。博主最近基于上次50Mhz下的简易SDRAM控制器的基础上修改成100Mhz的SDRAM控制器，实现用上位机串口发送一副彩色图片到SDRAM存储，再用VGA显示，下一步的目标是实现摄像头实时采集视频流数据显示。目前把最近写的这两个项目工程放到了Github上分享出来，希望能一起讨论，多多指点，这个东西我个人感觉不懂内部的操作时序，想要移植也是很麻烦的，所以干脆直接分享出来，后面博主会继续优化，尽量做成一个像IP Core一样的直接修改参数就可以调用的一个SDRAM控制器。
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原文地址：http://www.cnblogs.com/ninghechuan/p/8992683.html
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