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各种存储介质的差异

时间:2018-06-20 11:13:13      阅读:206      评论:0      收藏:0      [点我收藏+]

标签:nandflash   执行   nand   targe   一个   参考   擦除   htm   blank   

1.eMMC固件中已经做好自动的坏块处理和磨损平衡处理,应用程序直接访问就可以了。

2.NandFlash擦除以block为单位,写数据以page为单位;清除Flash写1,刚好和硬盘相反。

3.NAND单元小,所以写和擦除的速率快,Nor的优点是具有随机存取和字节执行写操作的能力。

4.Block(块)是擦除的最小单位(相当于硬盘的扇区),块大小一般是128KB 256KB 512KB,一个块里面有很多个页

5.Page(页)是编程操作的最小单位,页的大小一般是256B 512B 2KB 4KB

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

参考:https://wenku.baidu.com/view/30e483ba960590c69ec376d5.html(good)

各种存储介质的差异

标签:nandflash   执行   nand   targe   一个   参考   擦除   htm   blank   

原文地址:https://www.cnblogs.com/hellokitty2/p/9202571.html

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