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模拟CMOS集成电路 课后习题总结(2.1)

时间:2014-10-05 22:47:09      阅读:217      评论:0      收藏:0      [点我收藏+]

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      前几天开始自学拉扎维的模设教材,看之前浏览了EETOP论坛里面好多大神们对这本书的看法,当然也有人在抱怨,比如冒出“太科幻”、“一年才看完”之类恐怖的修饰语句,因此在开始看的时候就对此书充满了“敬畏”之情,于是打算以“边看边练”的方法完成课后习题以巩固所学。今天看完了第二章,一个下午只做了2.1-2.5这五道题,看上去不难,做的时候漏洞百出,于是自己打算把遇到的问题回顾一下。由于是半路出家,所以有不对的地方还望各位指出以便改正。刚起步也没做过什么项目,因此说不出什么设计思想,就当是课后习题总结吧。

MOS器件物理基础

重要的几个公式:

管子开启条件(忽略亚阈值效应):

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饱和区漏电流(考虑沟道调制效应):

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跨导:

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输出阻抗:

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三极管区漏电流:

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阈值电压(考虑体效应):

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习题要点回顾

2.1、需要注意的问题是,栅氧化层电容是根据比例算得;栅长要用有效沟道长度;最后注意单位的统一。其他需要用的参数从一级SPICE模型里面去找即可。

2.2、套公式,明白输出阻抗和跨导怎么求,什么是本征增益。

2.3、同样是本征增益的公式推导,不过要注意的是沟道调制系数和沟道长度的关系,以及如何画以某个变量为参数的曲线。

2.4、要分三种情况,就是关断off、饱和区以及三极管区。判断依据就是Vgs和Vth、Vds与Vod(过驱动电压)的关系,根据不同关系找到对应的公式即可,另外稍微注意一下电流参考方向就行。所谓夹断点就是指Vds=Vod时所对应的栅极电压。如果衬底-源端电压Vbs>0,则Id/Vgs曲线想右移动(因为Vth增大),反之向左移动。

2.5、针对不同的电路作曲线图,本人觉得所有的电路只要找出Vgs、Vds、Vod基本上就ok了,剩下的无非是对三种情况(off、sat、tri)的讨论,不过之前需要判断PMOS或者NMOS的S和D端,至于怎么判断,我的方法是对于NMOS而言,S端是提供电子的,所以电流流向S端;而对于PMOS,S端是提供空穴的,所以电流流向D端。

      另外,对于PMOS,加上绝对值可能比较好理解一些。还有在考虑衬底电压Vbs的情况,我们需要求解出Vth,然后寻找Vgs=Vth时对应的Vx作为边界条件(如a、e题)。最后要注意对于NMOS器件而言,衬底电压不超过栅极电压,因为如果超过栅极电压,那么空穴将在栅氧化层下聚集,有可能与N型半导体的电子发生中和,形成更宽的耗尽层,电子移动会更加困难。

总结

这样来看确实很不直观,要亲自尝试过可能会好一点,掌握方法并且熟悉应用后,直观地分析电路也算指日可待了。待续......

模拟CMOS集成电路 课后习题总结(2.1)

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原文地址:http://www.cnblogs.com/iamlsj/p/4007436.html

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