陶瓷基板

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常见类型，LTCC,HTCC,DBC,AMB,DPC,简介如下。

LTCC低温共烧多层陶瓷基板（Low-Temperature Co-fired Ceramic）

此技术须先将无机的氧化铝粉与约30%~50%的玻璃材料加上有机黏结剂，使其混合均匀成为泥状的浆料，接着利用刮刀把浆料刮成片状，再经由一道干燥过程将片状浆料形成一片片薄薄的生胚，然后依各层的设计钻导通孔，作为各层讯号的传递，LTCC内部线路则运用网版印刷技术，分别于生胚上做填孔及印制线路，内外电极则可分别使用银、铜、金等金属，最后将各层做叠层动作，放置于850~900℃的烧结炉中烧结成型。

关注点，线路表面较为粗糙，容易造成对位不精准与累进公差过大等现象，多层陶瓷叠压烧结工艺，有收缩比例的问题需要考量，导致其工艺解析度较为受限

HTCC，高温共烧多层陶瓷（High-Temperature Co-fired Ceramic）

生产制造过程与LTCC极为相似，主要的差异点在于HTCC的陶瓷粉末并无加入玻璃材质，因此，HTCC的必须再高温1300~1600℃环境下干燥硬化成生胚，接着同样钻上导通孔，以网版印刷技术填孔与印制线路，因其共烧温度较高，使得金属导体材料的选择受限，其主要的材料为熔点较高但导电性却较差的钨、钼、锰…等金属，最后再叠层烧结成型。

DBC，直接接合铜基板（Direct Bonded Copper）

将高绝缘性的Al2O3或AlN陶瓷基板的单面或双面覆上铜金属后，经由高温1065~1085℃的环境加热，使铜金属因高温氧化、扩散与Al2O3材质产生(Eutectic) 共晶熔体，使铜金与陶瓷基板黏合，形成陶瓷复合金属基板，最后依据线路设计，以蚀刻方式备制线路。

关注点，工艺能力限制，金属铜厚的下限约在150~300um之间，这使得其金属线路的解析度上限亦仅为150~300um之间(以深宽比1:1为标准)。

AMB，Active Metal Bonding，活性金属钎焊覆铜技术

DCB技术的进一步发展，依靠活性金属钎料实现氮化铝与无氧铜的高温冶金结合，采用AlN陶瓷材料的AMB基片有更小的热阻、更低的热膨胀系数和更稳定的部分放电能力。

关注点，热阻更小，热膨胀系数更低更稳定。

DPC，直接镀铜基板（Direct Plate Copper）

以瑷司柏DPC基板工艺为例：首先将陶瓷基板做前处理清洁，利用薄膜专业制造技术－真空镀膜方式于陶瓷基板上溅镀结合于铜金属复合层，接着以黄光微影之光阻被覆曝光、显影、蚀刻、去膜工艺完成线路制作，最后再以电镀/化学镀沉积方式增加线路的厚度，待光阻移除后即完成金属化线路制作。

关注点，DPC则是采用的薄膜工艺制作，利用了真空镀膜、黄光微影工艺制作线路，使基板上的线路能够更加精确，表面平整度高，再利用电镀/电化学镀沉积方式增加线路的厚度，DPC金属线路厚度可依产品实际需求(金属厚度与线路解析度)而设计。DPC杜绝了LTCC/HTCC的烧结收缩比例及厚膜工艺的网版张网问题。

陶瓷基板

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