标签：alt 存储器 英文名称 image str 性能 轻松 擦除 spl
1.什么是 nandflash ？
FLASH闪存 闪存的英文名称是"Flash Memory"，一般简称为"Flash"，它属于内存器件的一种，是一种非易失性（ Non-Volatile ）内存。
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。
flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除 操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前 先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s ，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进 行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距。
2.nand和nor flash的区别？
● NOR的读速度比NAND稍快一些。
● NAND的写入速度比NOR快很多。
● NAND的擦除速度远比NOR快。
● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更加简单。
● NAND的实际应用方式要比NOR复杂的多。
● NOR可以直接使用，并在上面直接运行代码，而NAND需要I/O接口，因此使用时需要驱动。
上图是nandflash(K9F2G08U0C)的引脚图。
I/O位数据输入、输出引脚同时兼做地址引脚、和命令引脚。
CLE：命令锁存引脚，高电平有效。
ALE：地址锁存引脚，高电平有效。
注：当CLE和ALE同时为低电平时，数据通过I/OC传输
nWE：写信号，低电平有效。
nRE： 读信号，高电平有效。
nCE： 片选信号，低电平有效。
标签：alt 存储器 英文名称 image str 性能 轻松 擦除 spl
原文地址：https://www.cnblogs.com/LeoA/p/9706321.html
