标签：tar lct 因此 威胁 jpg 0ms 两种 有关 要求
1.最小击穿电压VBR和击穿电流IR。VBR是TVS管最小的击穿电压，在25℃时，低于这个电压TVS管是不会产生雪崩的。当TVS管流过规定的1mA电流(IR)时，加于TVS管两极的电压为其最小击穿电压VBR。按TVS管的VBR与标准值的离散程度，可把VBR分为5%和10%两种。对于5%的VBR来说，VWM=0.85VBR;对于10%的VBR来说，VWM=0.81VBR。为了满足IEC61000-4-2国际标准，TVS管必须达到可以处理最小8kV(接触)和15kV(空气)的ESD冲击，部份半导体厂商在自己的产品上使用了更高的抗冲击标准。对于某些有特殊要求的可携设备应用，设计者可以依需要挑选元件。
2.反向漏电流ID和额定反向切断电压VWM。VWM是TVS管在正常状态时可承受的电压，此电压应大于或等于被保护电路的正常工作电压，否则TVS管会不断截止回路电压;但它又需要尽量与被保护回路的正常工作电压接近，这样才不会在TVS管工作以前使整个回路面对过压威胁。当这个额定反向切断电压VWM加于TVS管的两极间时它处于反向切断状态，流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ID。
3.钳位电压VC和峰值脉冲电流IPP。当持续时间为20ms的脉冲峰值电流IPP流过TVS管时，在其两端出现的峰值电压为VC。VC、IPP反映了TVS管的突波抑制能力。VC与VBR之比称为钳位因子，一般在1.2~1.4之间。VC是二极管在截止状态提供的电压，也就是在ESD冲击状态时通过TVS管的电压，它不能大于被保护回路的可承受极限电压，否则元件面临被损伤的危险。
4.Pppm额定脉冲功率，这是基于最大截止电压和此时的峰值脉冲电流。对于手持设备，一般来说500W的TVS就足够了。峰值脉冲功耗PM是TVS管能承受的峰值脉冲功耗值。在特定的钳位电压下，功耗PM越大，其突波电流的承受能力越大。在特定的功耗PM下，钳位电压VC越低，其突波电流的承受能力越大。另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。而且，TVS管所能承受的瞬态脉冲是不重覆的，元件规定的脉冲重覆频率(持续时间与间歇时间之比)为0.01%。如果电路内出现重覆性脉冲，应考虑脉冲功率的累积，有可能损坏TVS管。
5.电容器量C。电容器量C是由TVS雪崩结截面决定的，是在特定的1MHz频率下测得的。C的大小与TVS管的电流承受能力成正比，C太大将使讯号衰减。因此，C是数据介面电路选用TVS管的重要参数。电容器对于数据/讯号频率越高的回路，TVS管的电容器对电路的干扰越大，形成噪音或衰减讯号强度，因此需要根据回路的特性来决定所选元件的电容器范围。高频回路一般选择电容器应尽量小(如LCTVS、低电容器TVS管，电容器不大于3pF)，而对电容器要求不高的回路电容器选择可高于40pF。
标签：tar lct 因此 威胁 jpg 0ms 两种 有关 要求
原文地址：https://www.cnblogs.com/lishenxin/p/9951413.html
