模拟电子技术-半导体二极管

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1.半导体二极管：封装的PN结。

  半导体二极管的类型：硅管、锗管。

2.半导体二极管的伏安特性：

  正向特性：

  反向特性：

  温度对半导体二极管特性的影响：

  1.当温度升高，死区电压、正向管压降降低。温度每升高摄氏1度，正向管压降降低2~2.5mV。

  2.温度升高，反向饱和电流增大。平均温度身高10摄氏度，反向饱和电流增大一倍。

  半导体二极管的主要电参数：

  1.额定整流电流IF：管子长期运行允许通过的电流平均值。

  2.方向击穿电压U（BR）：二极管能承受的最高反向电压。

  3.最高允许反向工作电压UR：UR = (1/2~2/3)U(BR)。

  4.反向电流IR：反向电压下的反向电流，越小越好。

  5.正向导通管压降。

  6.最高工作频率fM：fM与结电容有关，当工作频率超过fM时，二极管的单向导电性变差。

模拟电子技术-半导体二极管

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原文地址：https://www.cnblogs.com/kun-embedded/p/10816851.html