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芯片制造涉及到许多复杂重复的过程，如：光刻、蚀刻、离子注入、扩散、退火。而且都是原子级操作，尽管控制非常严格，但偏差不可避免。
工艺偏差会导致芯片物理参数偏差，如：线宽、沟道掺杂浓度、线厚、临界尺寸、栅氧厚度；
而物理参数偏差会导致电特性参数偏差，如：线的电容电阻、阈值电压、饱和电流、栅极电容；
电特性参数偏差会导致 cell delay, cell transtion, net delay的偏差，这正是STA 要如此重视variation 的原因所在。
Environmental variation: 电压跟温度的变化，也就是PVT 中的V跟T。
Process variation: 工艺制造过程的偏差，工艺偏差一部分用PVT 中的P来模拟，另一部分用OCV 来模拟。
而Non systematic process variation又可以进一步细分为Global varation 和local variation:
Global variation: 由于工艺偏移导致的die-to-die, wafer to wafer, lot to lot 之间偏差，如：同一个chip上所有管子的沟道长度都比典型值偏大或偏小。
Local variation又可以进一步细分：
Spatially correlated variations: 相较于距离相距较远的管子，相邻管子有像似特征。这也是AOCV 跟 SOCV / POCV 要考虑 spatial / distance 的原因。
Random or independent variation: 在统计学上完全随机独立，故需要SSTA 对其进行更精确模拟，而作为SSTA的简化模型，SOCV / POCV的精确性从下图可见一斑。
结：
工艺偏差导致芯片物理参数偏差，进一步导致管子电特性偏差，在STA 中表现于cell delay, cell trantion 跟 net delay的偏差。
STA 用PVT + OCV 来模拟cell 的timing，用Spice 仿真得到cell delay 跟variation。
STA 用RC corner来模拟互连线的variation。
PVT 跟RC corner 用于模拟Global varition。
Flatten OCV, AOCV, SOCV / POCV 用于模拟local variation.
参考文献：
http://ceng.usc.edu/techreports/2012/Gupta%20CENG-2012-6.pdf
https://www2.eecs.berkeley.edu/Pubs/TechRpts/2015/EECS-2015-165.pdf
https://community.cadence.com/cadence_blogs_8/b/ii/posts/signoff-summit-an-update-on-ocv-aocv-socv-and-statistical-timing
https://m.eet.com/media/1177441/variation-aware%20ch4a.pdf
论STA | SOCV / POCV 之 variation （2）
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原文地址：https://www.cnblogs.com/lelin/p/11397413.html
