计算机组成原理与结构图示（存储器设计）

标签：定时刷新   破坏   半导体   height   mamicode   技术   存储   das   刷新   

1、主存储器组织与设计（非常重要！）

1）半导体存储器逻辑设计

2）动态存储器的刷新

（1）定义：定期向电容补充电荷

（2）原因：动态存储器依靠电容电荷存储信息。平时无电源 供电，时间一长电容电荷会泄放，需定期向电容 补充电荷，以保持信息不变。

（3）注意刷新与重写的区别：

• 刷新：非破坏性读出的动态M，需补充电荷以保持原来的信息。

• 破坏性读出后重写，以恢复原来的信息。

（4）最大刷新间隔：2ms。在此期间，必须对所有动态单元刷新一遍。

（5）刷新方法：

• 按行读。

• 刷新一行所用的时间——刷新周期（存取周期）

• 刷新一块芯片所需的刷新周期数由芯片矩阵的行数决定。

• 对主存的访问

  • CPU访存：由CPU提供行、列地址，随机访问。

  • 动态芯片刷新：由刷新地址计数器提供行地址，定时刷新。

（6）刷新周期的安排方式:

1. 集中刷新:2ms内集中安排所有刷新周期。

2. 分散刷新:各刷新周期分散安排在存取周期中。

3. 异步刷新:各刷新周期分散安排在2ms内。每隔一段时间刷新一行。

计算机组成原理与结构图示（存储器设计）

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原文地址：https://www.cnblogs.com/ggotransfromation/p/11804418.html