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everspin非易失性存储器中MRAM的潜在用途

时间:2019-12-31 12:29:25      阅读:79      评论:0      收藏:0      [点我收藏+]

标签:隧道   开发   save   eve   内存技术   www   内存   lis   ref   

?everspin非易失性存储器中MRAM的潜在用途
与电子电荷存储的数据可能会因使用情况,时间和温度而泄漏和击穿的相反,MRAM(磁性随机存取存储器)使用1个晶体管–1个磁性隧道结(MTJ)体系结构作为MTJ的磁态作为数据存储元素。由于MRAM将数据存储为磁性状态,因此与现有的非易失性存储器相比,它具有许多重要的优势。与其他非易失性解决方案相比,MRAM的优势在于:
•像不挥发一样闪烁
•无编程/擦除周期(最快的写入周期)
•快速的SRAM接口
•对称的读/写周期
•字节寻址能力
•并行(x16)接口的35ns/2Bytes
•带有串行接口的0.4us/2bytes(使用工作在40MHz的SPI接口)
•无限耐力(无限使用)
•长期保留数据(高温下超过20年)
 
带有动力总成微控制器演示的MRAM
团队(以及迄今为止的行业)面临的挑战之一是,这些新的内存技术(例如mram(目前已嵌入到某些处理器中))尚未嵌入动力总成芯片中。因此,在此演示中,团队采用了一种离散的“处理器外”解决方案。在此演示中,团队设计了MRAM评估板以与Powertrain微控制器母板接口。开发了新的低级驱动器(LLD),以取代动力总成芯片供应商提供的LLD。在本演示中,新修订的LLD用于验证串行/并行MRAM协议,不同模式下的读/写操作以及时序周期要求(通过在具有各种时钟频率的原型板上运行应用程序)。

 

everspin非易失性存储器中MRAM的潜在用途

标签:隧道   开发   save   eve   内存技术   www   内存   lis   ref   

原文地址:https://www.cnblogs.com/sramsun/p/12123664.html

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