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everspin最新1Gb容量扩大MRAM吸引力

时间:2020-02-19 17:19:40      阅读:64      评论:0      收藏:0      [点我收藏+]

标签:控制器   imm   ram   包括   ash   特性   spin   通过   工艺路线   

everspin提供8/16-bit的DDR4-1333MT/s(667MHz)接口,但与较旧的基于DDR3的MRAM组件一样,时序上的差异使得其难以成为DRAM(动态随机存取器)的直接替代品。

最新的1Gb容量STT-MRAM扩大了MRAM的吸引力,但Everspin仍需努力追赶DRAM的存储密度。

低容量的特性,使得MRAM组件更适用于嵌入式系统,其中SoC和ASIC可更容易地设计兼容的DDR控制器。

目前行业内已通过MRAM来部分替代DRAM,比如IBM就在去年推出了Flash Core模块,以及希捷在FMS2017上展示的原型。

当然我们并不指望mram专用存储设备可以迅速在市面上普及(SSD或NVDIMM)。毕竟市面上的混合型SSD,仍依赖于NAND闪存作为主要存储介质。

作为与格罗方德合作生产的第二款分立型MRAM器件,他们还在GloFo的22nmFD-SOI工艺路线图中嵌入了MRAM。

鉴于该工厂取消了7nm和更低制程的计划,包括嵌入式内存在内的特殊工艺对其未来显然至关重要。

everspin最新1Gb容量扩大MRAM吸引力

标签:控制器   imm   ram   包括   ash   特性   spin   通过   工艺路线   

原文地址:https://blog.51cto.com/14618340/2472273

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