标签：控制器 imm ram 包括 ash 特性 spin 通过 工艺路线
everspin提供8/16-bit的DDR4-1333MT/s（667MHz）接口，但与较旧的基于DDR3的MRAM组件一样，时序上的差异使得其难以成为DRAM（动态随机存取器）的直接替代品。最新的1Gb容量STT-MRAM扩大了MRAM的吸引力，但Everspin仍需努力追赶DRAM的存储密度。
低容量的特性，使得MRAM组件更适用于嵌入式系统，其中SoC和ASIC可更容易地设计兼容的DDR控制器。
目前行业内已通过MRAM来部分替代DRAM，比如IBM就在去年推出了Flash Core模块，以及希捷在FMS2017上展示的原型。
当然我们并不指望mram专用存储设备可以迅速在市面上普及（SSD或NVDIMM）。毕竟市面上的混合型SSD，仍依赖于NAND闪存作为主要存储介质。
作为与格罗方德合作生产的第二款分立型MRAM器件，他们还在GloFo的22nmFD-SOI工艺路线图中嵌入了MRAM。
鉴于该工厂取消了7nm和更低制程的计划，包括嵌入式内存在内的特殊工艺对其未来显然至关重要。
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