标签：子集 图片 逻辑 命令 闪存 存储器 输出 img info
总览MR25H256是一个串行MRAM，具有使用串行外围设备接口的芯片选择（CS），串行输入（SI），串行输出（SO）和串行时钟（SCK）的四针接口在逻辑上将存储器阵列组织为32Kx8（ SPI）总线。宇芯串行MRAM实现了当今SPI EEPROM和闪存组件通用的命令子集，从而允许MRAM替换同一插槽中的这些组件并在共享SPI总线上进行互操作。与可用的串行存储器替代方案相比，串行MRAM具有卓越的写入速度，无限的耐用性，低待机和运行能力以及更可靠的数据保留。
MR25H256ACDF产品图片
特征
?无写入延迟
?无限的写续航力
?数据保留超过20年
?断电时自动数据保护
?阻止写保护
?快速，简单的SPI接口，时钟速率高达40 MHz
?2.7至3.6伏电源范围
?低电流睡眠模式
?工业和汽车1级和3级温度
?提供8-DFN或8-DFN符合RoHS标准的小标志。
?直接替换串行EEPROM，闪存，FeRAM
?工业级和AEC-Q100 1级和3级选件
?水分敏感性MSL-3
图1 –框图
系统配置
单个或多个设备可以连接到总线，如图2所示。SCK，SO和SI引脚在设备之间通用。每个器件都需要分别驱动CS和HOLD引脚。
图2 –系统配置
图3 –引脚图所有8-DFN封装
Everspin MRAM串行SPI MR25H256ACDF
标签：子集 图片 逻辑 命令 闪存 存储器 输出 img info
原文地址：https://blog.51cto.com/14767425/2490797
