标签:设计 仿真 面积 之间 处理 内容 晶体管 cmos asi
一、
1.书籍推荐
《模拟集成电路设计_分立与集成》.雷鏗铭等译机械工业出版社
《模拟CMOS集成电路设计》--陈贵灿等译西安交通大学出版社
《Design of Analog CMOS Integrated Circuits》--Behzad Razavi等著英文影印版
《数字集成电路电路、 系统与设计》(第二版)--周润德等译电子工业出版社中文版D)
《Digital Integrated Circuits- A Design Perspective》( 2nd Edition )--J.M.Rabaey等著清华大学出版社英文影印版
《CMOS超大规模集成电路设计》(第三版) (第四版)--N.H.E.Weste等著中国电力出版社中文版
《高级ASIC芯片综合》--H. Bhatnagar著清华大学出版社中文版
《集成电路掩模设计》--C.Saint等著清华大学出版社中文版
《数字集成电路分析与设计》--D.A.Hodges等著电子工业出版社中文版
《CMOS数字集成电路》-- S.M.Kang等著电子工业出版社中文版
《CMOS电路设计.布局与仿真》--R.J.Baker等著机械工业出版社中文版
2.课程内容:
3.重点
4,集成电路产业
设计、制造、封测、材料、装备
二、摩尔定律
■摩尔定律是指集成电路上可容纳的晶体管数目,约每隔18个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。
■同样面积的芯片上集成的品体管的数量每隔18个月会增加一倍,也会将芯片的处
理速度和处理能力提升一倍,而成本则会降低一半。
半导体元器件:存储器,处理器,数字逻辑电路
CMOS即互补金属氧化物半导体,采用CMOS工艺可以将成对的金属氧化物半导体场效应晶体管( MOSEET )集成在一块硅片上,即将NMOS器件和PMOS器件同时制作在同一硅衬底上,制作CMOS集成电路。
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