半导体随机储存器

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半导体随机储存器简介

RAM：Random Access Memory
D：Dynamic
S：Static
主储存器 【内存】 DRAM
缓存 【Cache】 SRAM 靠近CPU的区域
DRAM单位成本低于SRAM速度也慢于SRAM，DRAM使用更多的硅

DRAM 与 SRAM

• 概念与名称

1. SRAM：
   使用双稳态触发器，六晶体管MOS来记忆信息的。因此及时信息被读出来了以后，保持原状态而不需要再生

SRAM存取速度快，集成度比较低，工号比较大 一般用高速缓冲储存器；

2. DRAM：
   使用栅极电容的电荷来储存信息。DRAM基本储存元通常指使用一个晶体管。
   所以他的密度要比SRAM高很多，DRAM采用地址复用技术，地址线是原来的1/2，且地址信号分行，列两次传送
   DRAM优点：集成容易，位阶低，容量大，功耗低的功能；
   电容上的电荷一般只能维持1～2ms，及时电源不断电，信息也会自动消失，为此每隔一段时间必须要刷新，通常选择2ms。

刷新的方式选择：

    集中刷新： 在一个刷新周期内，利用一个固定的时间，对储存器的所有行进行逐一再生。
    再次期间停止对储存器的读写操作，称之为死时间，访存死区

    分散刷新： 对每行的刷新分散到各个工作周期，前半部分用于正常读写和保持； 后半时间用于刷新某一行。
    这种刷新方式增加了系统的存取周期，例如储存芯片的存取周期0.5 us. 则系统的存取周期为1us
    没有死时间，死区，但是增加了系统的存取时间；


    异步刷新：结合了前面两个方法的。缩短了死时间，用分利用最大刷新时间2ms的特点。具体做法是刷新周期除以行数，
    得到两次刷新的时间间隔t，利用逻辑电路每隔电路刷新一次请求。提高了整体工作效率。  

刷新需要注意以下的问题：

1. 刷新对CPU是透明的，刷新不依赖与外部的访问。
2. 动态RAM刷新单位是行，仅仅需要行地址
3. 刷新类似于读操作，仅仅是补充电荷并不信息刷出

读写周期。

只读储存器 ROM

ROM，RAM都是支持随机存取的储存器，其中SRAM和DRAM均为易失性半导体储存器；
ROM中一旦有了信息，就不能轻易改变，就算是掉电也不会丢失；

特点：

1. 结构简单，所以位密度比可读可写的储存器高；
2. 具有非易失性，所以可靠性高；

ROM的类型：
按照制作的工艺不同可以分成： 掩模式制度储存器MROM，一次可编程只读储存器PROM，
可擦除编程只读储存器EPROM，闪存储存器Flash Memory，固态硬盘 Solid State Drives。

半导体随机储存器

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原文地址：https://www.cnblogs.com/keepcharging-wang/p/14960734.html