RAM, SDRAM ,ROM, NAND FLASH, NOR FLASH

在看上面2440的内存映射的时候，对其中的有些名字，不是完全太懂，所以到网上找了相关的信息。

对于mini2440来说，SDRAM，即内存，程序运行时的地方。选择连接SDRAM的为bank6。

1）S3C2440 支持两种启动模式：一种是从 Nand Flash 启动；一种是从Nor Flash启动。在此两种启动模式下，各个片选的存储空间分配是不同的，
2）左面时nGCS0片选的Nor Flash启动模式下的存储分配图，右边是Nand Flash启动模式下的存储分配图，这里要注意，nGCS0片选的空间在不同的启动模式下，映射的器件是不一样的：

RAM有两大类，

一种称为态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。

SDRAM：同步动态随机存储器，像电脑的内存就是用的这种RAM叫DDR SDRAM。其集成度非常高，因为是动态的，所以必须有刷新电路，每隔一段时间必须得刷新数据。其存储单元不是按线性排列的，是分页的。一般的嵌入式产品里面的内存都是用的SDRAM。
Mini2440 使用了两片外接的32M bytes 总共64M bytes 的SDRAM 芯片。

内存工作原理：

内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。

具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。

ROM：只读存储器的总称。

PROM：可编程只读存储器，只能写一次，写错了就得报废，现在用得很少了，好像那些成本比较低的OPT单片机里面用的就是这种存储器吧。

EPRM：没见过，不知道什么东西。网上也找不到相关的东西。是EPROM吧？

EPROM：可擦除可编程存储器，这东西也比较古老了，是EEPROM的前身，在芯片的上面有个窗口，通过紫外线的照射来擦除数据。非常之麻烦。

EEPROM：电可擦除可编程只读存储器，比之EPROM就先进点了，可以用电来擦除里面对数据，也是现在用得比较多的存储器，比如24CXX系列的EEPROM。

NANDFLASH和NORFLASH都是现在用得比较多的非易失性闪存。

NOR采用的并行接口，其特点读取的速度比之NAND快乐很多倍，Nand Flash 不具有地址线，它有专门的控制接口与CPU 相连，数据总线为8-bit，但这并不意味着Nand Flash 读写数据会很慢。大部分的优盘或者SD 卡等都是Nand Flash 制成的设备。

转自: http://blog.csdn.net/suiyuan19840208/article/details/7307316