DRAM 即动态内存,其基本单位是由一个晶体管和一个电容器组成。请看下图:
坏内存中的电荷,也就是说对于内存中存储的数据是具有破坏性的。所以内存不但要每64ms刷新一次,每次读操作之后也要刷新一次。这样就增加了存取操作的周期,当然潜伏期也就越长。
SRAM,静态(Static)RAM不存在刷新的问题,一个SRAM基本单元包括4个晶体管和2个电阻。它不是通过利用电容充放电的特性来存储数据,而是利用设置晶体管的状态来决定逻辑状态——同CPU中的逻辑状态一样。读取操作对于SRAM不是破坏性的,所以SRAM不存在刷新的问题。
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