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上篇博文我们按照210的启动流程，分析到了初始化串口，由于接下来的取消存储保护不是很重要，所以我们今天按照u-boot的启动流程对nand flash初始化进行分析。
今天我们会用到的文档：
1. 2440芯片手册：http://download.csdn.net/detail/wrjvszq/8358949
2. 6410芯片手册：http://download.csdn.net/detail/wrjvszq/8358965
3. 210芯片手册：S5PV210_UM_REV1.1（我的不知道为什么传不上去大家去百度搜吧）
4. Nand flash芯片手册：大家根据自己的nand flash芯片型号，找到对应的手册
我们今天会通过以下几点，对nand flash的初始化进行介绍：
1. Nand flash简介
2. Nand flash初始化
3. Nand flash读写操作
1. 分类
Nand flash闪存芯片又分为
1) SLC（单层单元，每个存储格上存一个）
2) MLC（多层单元，每个存储格上存两个）
3) TLC（三层单元，每个存储格上存三个）
2. 访问方式
类似与我们单片机里面的外设，其有自己的控制器，可以对数据解析，我们要按照固定的格式和协议进行访问。
3. 地址构成
在Nand flash芯片手册中我们很容易找到其构成图，我们结合下图对其进行简单分析
1) device：一个Nand flash可以分为多个block
2) block：一个block可以分为多个pages
3) page：一个page可以分为两个区，分别为数据区和信息区（包括校验码等内容）
其地址构成分为：
行地址：表示要访问的页在块中的页编号
列地址：表示要访问的地址在该页中的偏移
l Nand flash初始化
通过上面的分析我们对nand的基本信息有了了解，下面我们来分析其初始化，同样我们可以参考u-boot给出的代码得出其初始化流程：
1) 设置管脚
2) 初始化NFCONF寄存器
3) 初始化NFCONT寄存器
1. 初始化NFCONF寄存器
在初始化NFCONF寄存器的时候我们要特别注意下面几个值（这三个值是将nand flash和我们芯片自有的nand flash控制器的时序相匹配的重要值）：TACLS、TWRPH0、TWRPH1。
我们可以在我们的芯片手册中找到nand flash控制器所提供的时序图，其中TACLS、TWRPH0、TWRPH1是我们自己可以配置的。
同时可以在nand flash芯片手册中找到其所需要的时序图，如下
简单通过时序比较我们就可以清楚的知道，TACLS、TWRPH0、TWRPH1分别对应tCLS、twp、tCLH
那么其所需要的这些值的大小到底是多少呢？我们通过nand的芯片手册就可以找到下表，其中的值是该时序所需的最小值。
通过以上分析，我们再结合在http://www.cnblogs.com/wrjvszq/p/4227435.html一文中设置的系统时钟，就可以轻松的设置我们的NFCONF寄存器了，NFCONT寄存器设置比较简单，按照寄存器说明即可，在此也就不过多分析了。
1 /* 2 * Nand Interface Init for SMDKC110 3 */ 4 nand_asm_init: 5 6 /* Setting GPIO for NAND */ 7 /* This setting is NAND initialze code at booting time in iROM. */ 8 9 ldr r0, =ELFIN_GPIO_BASE 10 11 ldr r1, [r0, #MP01CON_OFFSET] 12 bic r1, r1, #(0xf<<8) 13 orr r1, r1, #(0x3<<8) 14 str r1, [r0, #MP01CON_OFFSET] 15 16 ldr r1, [r0, #MP01PUD_OFFSET] 17 bic r1, r1, #(0x3<<4) 18 str r1, [r0, #MP01PUD_OFFSET] 19 20 ldr r1, [r0, #MP03CON_OFFSET] 21 bic r1, r1, #0xFFFFFF 22 ldr r2, =0x22222222 23 orr r1, r1, r2 24 str r1, [r0, #MP03CON_OFFSET] 25 26 ldr r1, [r0, #MP03PUD_OFFSET] 27 ldr r2, =0x3fff 28 bic r1, r1, r2 29 str r1, [r0, #MP03PUD_OFFSET] 30 31 ldr r0, =ELFIN_NAND_BASE 32 33 ldr r1, [r0, #NFCONF_OFFSET] 34 ldr r2, =0x777F 35 bic r1, r1, r2 36 ldr r2, =NFCONF_VAL 37 orr r1, r1, r2 38 str r1, [r0, #NFCONF_OFFSET] 39 40 ldr r1, [r0, #NFCONT_OFFSET] 41 ldr r2, =0x707C7 42 bic r1, r1, r2 43 ldr r2, =NFCONT_VAL 44 orr r1, r1, r2 45 str r1, [r0, #NFCONT_OFFSET] 46 47 ldr r1, [r0, #NFCONF_OFFSET] 48 orr r1, r1, #0x70 49 orr r1, r1, #0x7700 50 str r1, [r0, #NFCONF_OFFSET] 51 52 ldr r1, [r0, #NFCONT_OFFSET] 53 orr r1, r1, #0x03 54 str r1, [r0, #NFCONT_OFFSET] 55 56 mov pc, lr
经过上述内容我们对nand的初始化有了一定的了解，u-boot在此阶段做的内容也就完成了，但是为了不在以后返回来分析nand，我们今天趁热打铁，将其的读写操作一同分析。
l Nand flash读写操作
我们的nand flash支持两种读操作，一种是页读（整页读取，只需用行地址），一种是随机读（随机读取，需要行列地址），今天我们重点分析页读，随机读取跟其类似。
按照以前自己在做单片机时候的经验，我们既然要和外设通信，那么就必须按照外设自身所规定的时序发送内容，所以自己在nand芯片手册中找到了读操作的时序图（如下），根据此时序图我们可以很容易总结出读操作的流程，有了流程我们的代码实现起来就比较简单了。
1. 选中nand芯片
2. 清除rb
3. 发送0x00
4. 发送列地址
5. 发送行地址
6. 发送0x30
7. 等待R/B
8. 读数据
9. 取消选中
2. 写操作
我们的nand flash同样支持两种写操作，一种是页写（整页写入，只需用行地址），一种是随机写（随机写入，需要行列地址），今天我们重点分析页写，随机写入跟其类似。
同样我们可以在nand芯片手册中找到写操作的时序图（如下），根据此时序图我们可以很容易总结出写操作的流程，有了流程我们的代码实现起来就比较简单了。
1. 选中nand芯片
2. 清除rb
3. 发送0x80命令
4. 发送列地址
5. 发送行地址
6. 写入数据
7. 发送0x10命令
8. 等待R/B
9. 发送0x70命令
10. 读取写入结果
11. 取消选中
经过上述内容我们对nand的读写操作进行了简单的流程分析，对于nand还有其他操作，比如复位，擦除等操作，其实其实现都可以仿照我们实现读写的思路，进行实现。
u-boot分析（九）----nand flash初始化|nand flash读写分析
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原文地址：http://www.cnblogs.com/wrjvszq/p/4240326.html
