标签：com http style class img c log t size tar sp
在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器[或者内存储器和外存储器，主存储器简称内存。内存在电脑中起着举足轻重的作用。内存一般采用半导体存储单元。
因为RAM是内存其中最重要的存储器，所以通常我们直接称之为内存。
内存就是存储程序以及数据的地方，比如当我们在使用WPS处理文稿时，当你在键盘上敲入字符时，它就被存入内存中，当你选择存盘时，内存中的数据才会被存入硬（磁）盘。
RAM就是既可以从中读取数据，也可以写入数据。当机器电源关闭时，存于其中的数据就会丢失。我们通常购买或升级的内存条就是用作电脑的内存，内存条（DIMM）就是将RAM集成块集中在一起的一小块电路板，它插在计算机中的内存插槽上，以减少RAM集成块占用的空间。目前市场上常见的内存条有256M／条、512M／条、1G/条、2G/条等。
RAM芯片的存储速度比ROM芯片的速度快,但比Cache的速度慢
静态RAM是靠双稳态触发器来记忆信息的；动态RAM是靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息的。
由于电容上的电荷会泄漏，需要定时给与补充，所以动态RAM需要设置刷新电路。但动态RAM比静态RAM集成度高、功耗低，从而成本也低，适于作大容量存储器。所以主内存通常采用动态RAM，而高速缓冲存储器（Cache）则使用静态RAM。另外，内存还应用于显卡、声卡及CMOS等设备中，用于充当设备缓存或保存固定的程序及数据。
abp: address bit permuting，地址位序列改变
atc(access time from clock，时钟存取时间)
bsram(burst pipelined synchronous static ram，突发式管道同步静态存储器) cas(column address strobe，列地址控制器)
cct(clock cycle time，时钟周期)
db: deep buffer(深度缓冲)
ddr sdram(double date rate，双数据率sdram)
dil(dual-in-line)
dimm(dual in-line memory modules，双重内嵌式内存模块)
dram(dynamic random access memory，动态随机存储器)
drdram(direct rambus dram，直接rambus内存)
ecc(error checking and correction，错误检查修正)
eeprom(electrically erasable programmable rom，电擦写可编程只读存储器)
fm: flash memory(快闪存储器)
fmd rom (fluorescent material read only memory，荧光质只读存储器)
pirom：processor information rom，处理器信息rom
pledm: phase-state low electron(hole)-number drive memory
qbm(quad band memory，四倍边带内存)
rac(rambus asic cell，rambus集成电路单元)
ras(row address strobe，行地址控制器)
rdram(rambus direct ram，直接型rambusram)
rimm(rambus in-line memory modules，rambus内嵌式内存模块)
sdr sdram(single date rate，单数据率sdram)
sgram(synchronous graphics ram，同步图形随机储存器)
so-dimm(small outline dual in-line memory modules，小型双重内嵌式内存模块)
spd(serial presence detect，串行存在检查)
sram(static random access memory，静态随机存储器)
sstl-2(stub series terminated logic-2)
tsops(thin small outline packages，超小型封装)
uswv(uncacheable， speculative， write-combining非缓冲随机混合写入)
vcma(virtual channel memory architecture，虚拟通道内存结构)
静态存储单元（SRAM）
●存储原理：由触发器存储数据
●单元结构：六管NMOS或OS构成
●优点：速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低；常用作Cache
●缺点：元件数多、集成度低、运行功耗大
●常用的SRAM集成芯片：6116（2K×8位），6264（8K×8位），62256（32K×8位），2114（1K×4位）
动态存储单元（DRAM）
●存贮原理：利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理，需刷新（早期：三管基本单元；之后：单管基本单元）
●刷新（再生）：为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失，必须定时给栅极电容补充电荷的操作
●刷新时间：定期进行刷新操作的时间。该时间必须小于栅极电容自然保持信息的时间（小于2ms）。
●优点： 集成度远高于SRAM、功耗低，价格也低
●缺点：因需刷新而使外围电路复杂；刷新也使存取速度较SRAM慢，所以在计算机中，DRAM常用于作主存储器。
尽管如此，由于DRAM存储单元的结构简单，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成为大容量RAM的主流产品。
标签：com http style class img c log t size tar sp
原文地址：http://www.cnblogs.com/a12436109/p/3702091.html
