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分析评测贴片电容性能的常用方法

时间:2014-07-05 18:05:19      阅读:194      评论:0      收藏:0      [点我收藏+]

标签:strong   问题   设计   测试   c   产品   

首先是贴片电容的四个常规电性能,即容量Cap. 损耗DF,绝缘电阻IR和耐电压DBV,一般地,X7R产品的损耗值DF<=2.5%,越小越好,IR*Cap>500欧*法,BDV>2.5Ur.其次是贴片电容的加速寿命性能,在125deg.c环境温度和2.5Ur直流负载条件下,芯片应能耐100小时不击穿,质量好的可耐1000小时不击穿。再次就是产品的耐热冲击性能,将电容浸入300deg.c锡炉10秒,多做几粒,显微镜下观察是否有表面裂纹,然后可测试容量损耗并与热冲击前对比判别芯片是否内部裂纹。  贴片电容在电路上出现问题,有可能是贴片电容本身质量不良,亦有可能是设计时选取规格欠佳或是在表面贴装机械力热冲击等对贴片电容造成一定的损伤等因素造成。

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分析评测贴片电容性能的常用方法

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原文地址:http://www.cnblogs.com/heiyue/p/3822758.html

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