PART 2—主存储器 2.7 提高访存速度的措施 2.7.1 单体多字系统 原理：在一个存取周期内，从同一地址取出四条指令（之前是一次一个的），再将这四条指令按顺序送至CPU执行——速度提高了 前提：指令和数据连续 2.7.2 多体并行系统 2.7.3 高性能存储芯片 (1)SDRAM (2)RD ...
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2020-04-06 17:21:14
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局部变量存储在栈上，栈指向SDRAM可读可写 全局变量包含在.bin文件中，烧写在nor文件中 静态变量 nor_flash不能直接的写 程序中至少包含有代码段和数据段（rodata 、bss(初值为0，无初值的全局变量)、common注释） const char g_char2 = 'B' //c ...
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2020-04-04 18:50:32
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由于内存条种类繁多，参数多样，很多小白DIY电脑的，会发现购买内存条是件头疼的事。大家对内存容量以及内存频率关注较多，而对内存时序却关注的很少，其实内存时序也是内存的参数之一，内存时序究竟有多重要呢？内存时序是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，如16-18-18-36。宏旺半导体了解到，
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2020-04-03 15:02:58
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有些基于MCU的旧系统仍在使用SDRAM，在降低功耗和简化接口方面，可以受益于IoT RAM的使用。下表清楚显示了待机电流和有功电流的优点，同时保持了相当的传输速率。
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2020-03-27 23:15:46
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在讲完 SDRAM 的基本工作原理和主要操作之后，我们现在要重要分析一下 SDRAM 的时序与性能 之间的关系，它不在局限于芯片本身，而是从整体的内存系统去分析。这也是广大 DIYer 所关心的话 题。 比如 CL 值对性能的影响有多大几乎是每个内存论坛都会有讨论，今天我们就详细探讨一下，其 中的很 ...
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2020-03-27 18:24:23
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先了解一下FS4412开发板的硬件环境， 可以看到： 4412有8G内存，即 DDRⅢ 双速率SDRAM，可片上执行，一般为机器运行软件提供内存，掉电后数据丢失。 还有4G的eMMC，也就是Nand Flash，但是同时集成了主控芯片与接口，不可以片上执行，但掉电后数据不会丢失。 同时4412支持S ...
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2020-02-24 09:35:16
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SDRAM从发展到现在已经经历了五代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM，第五代DDR4 SDRAM。第一代SDRAM采用单端（Single-Ended）时钟信号,第二代、第三代与第四代由于工作频率比较快，所以采用可降低 ...
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2020-02-12 21:55:21
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完整教程下载地址：http://www.armbbs.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=86980 第49章 STM32H7的FMC总线应用之SDRAM 本章教程为大家讲解SDRAM的驱动实现，后面LCD的显存和大数量的存取都要用到。 49.1 初学者重要提示 49.2 ...
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2020-02-08 12:01:52
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1.Cache概述 === Cache实际上也是一块存储空间，最大的优点就是速度快.CPU和SDRAM通信速度慢，取指令，读写数据都需要等待，所以中间出现了一个Cache用来解决这个问题. 程序具有局部性的特性，cache就是利用这种局部多次访问的特性，将指令或者数据暂存一份到Cache中，下次访问 ...
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2020-02-07 14:26:48
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初始化完成后，我们就可以对 SDRAM 进行其他的操作了，首先需要设计的是仲裁模块。 一、SDRAM刷新 关于 SDRAM 刷新，数据手册是这样说的： 解读一下： ① SDRAM 必须在 64ms 内需要刷新 4096 次，SDRAM 需要不断的刷新，来保证其内部的电量来达到保存数据不丢失的作用，S ...
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2020-01-27 12:37:31
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