铁电存储器与传统存储器的区别。 一：易失性的存储器包括静态存储器SRAM和动态存储器DRAM。 优点：读写速度快，读写寿命无次数限止。 缺点：掉电会丢失数据。 二：现在非易失性存储器包括EEPROM和Flash，不过它们都是在ROM技术上发展而成的。 优点：掉电数据会保存。 缺点：写入时间慢（一般每...
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2015-07-01 14:11:09
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源：STM32中的位带(bit-band)操作 支持了位带操作后，可以使用普通的加载/存储指令来对单一的比特进行读写。在 CM3 中，有两个区中实现了位带。其中一个是 SRAM 区的最低 1MB 范围，第二个则是片内外设区的最低 1MB范围。这两个区中的地址除了可以像普通的 RAM 一样使用外，它们...
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2015-06-24 14:29:37
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源：外部SRAM实验，让STM32的外部SRAM操作跟内部SRAM一样 前几天看到开源电子论坛(openedv.com)有人在问这个问题，我特意去做了这个实验，这样用外部SRAM就跟用内部SRAM一样，不用自己去申请内存，也不用考虑什么内存地址，一切让编译器自己去解决。 废话不多说，我直接拿原子.....
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2015-06-23 19:52:29
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Bootloader是嵌入式系统上电后第一段执行的代码。对于功能简单的处理器，可能并没有Bootloader的概念，但对于应用处理器，有不同的启动方式，不同的存储设备(Nand flash、sd/mmc、DDR2、SRAM等)，不同的操作系统等，往往需要一个Bootloader先初始化CPU和相关的硬件，建立内存空间映射，把内核或应用程序加载到相应的内存执行位置，最后调用内核或应用程序，释放CPU控制权，完成整个Bootloader的流程。笔者此处就S5PV210的Bootloader实现作一个简单的介绍。...
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2015-06-23 13:37:54
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支持了位带操作后，可以使用普通的加载/存储指令来对单一的比特进行读写。在 CM3中，有两个区中实现了位带。其中一个是
SRAM 区的最低
1MB 范围，第二个则是片内外设区的最低
1MB 范围。这两个区中的地址除了可以像普通的
RAM 一样使用外，它们还都有自己的“位带别名区”，位带别名区把每个比特膨胀成一个 32 位的字。当你通过位带别名区访问这些字时，就可以达到访问原始比特的目的。
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2015-06-08 09:56:34
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SRAM,SDRAM,网卡有地址总线，由cpu统一编址。 NAND flash没有地址总线。 因 此有这两者寻址方式不同。
字符设备驱动程序的框架。
驱动程序 1.有led.read,led.write,led.open 这些函数，2.定义了—个结构体fileoperation,这个结构体包含指向led.read的.read 函数，包含指向led.write的.write函数，包含指向...
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2015-06-03 17:48:33
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1、nandflash
Nandflash是IO设备，数据、地址、控制线都是共用的，需要软件区控制读取时序，
所以不能像nor flash、内存一样随机访问，不能EIP（片上运行），因此不能直接作为boot。
S3C2440把Bootloader烧到nand flash上启动，因为在S3C2440里有一个内置的SRAM，
叫做stepping stone(垫脚石，很形象...
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2015-06-03 00:59:35
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自己写的SRAM的程序，主要在于实用性，适应工作的工程需要。使用芯片为： 芯片时序图为： 代码： /********************************Copyright************************************** ...
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2015-05-26 23:26:09
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字节控制功能。支持高/低字节控制。看看实现IS62WV51216的访问，需要对FSMC进行哪些配置。这里就做一个概括性的讲解。步骤如下：1）使能FSMC时钟，并配置FSMC相关的IO及其时钟使能。要使用FSMC，当然首先得开启其时钟。然后需要把FSMC_D0~15，FSMCA0~18等相关IO口，全...
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2015-05-12 15:17:14
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随机访问存储器(RAM)分为静态随机访问存储器（Static Random
Access Memory - SRAM）和动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory -DRAM)。
一、静态随机访问存储器（SRAM）
静态随机访问存储器是随机访问存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取...
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2015-05-11 10:58:14
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