灵敏放大器即是使小的差分输入电压放大成更大的输出电压。由于存储器中差分位线上的负载重，因而位线上的电压变化非常缓慢。为了降低延时，首先要使所有位线上的电压都相等接下来，当这些位线被驱动时，灵敏放大器就可以检测到一个小的电压摆幅并将其恢复到正常的逻辑电平。
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2020-05-09 19:14:13
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读操作开始前，位线BIT和BIT被预充电，预充电平的典型值是电源电压。读操作过程中字线ROW被驱动到高电平，打开传输管N3 和N4。由于节点A为高电平，节点B为低电平，位线BIT就会经过N4 和N2 放电，电平逐渐降低；此时，由于N3管源漏电压近似相等，因此只有很小的电流流过，位线BIT会继续保持高电平状态。
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2020-04-29 18:59:01
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SRAM 是依靠一对反相器以闭环形式连接的存储电路，它的代码的读出是非破坏性的，并不需要相应的刷新电路，因此它的存取速度比DRAM 要快。但是，SRAM 需要用更多的晶体管来存储一位的信息（采用六管单元或四管两电阻单元储存一位数据），因而其位密度比其它类型的低，造价也高。静态存储器多用于二级高速缓存。
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2020-04-29 18:37:45
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Everspin并行I/O MRAM产品的简单异步SRAM接口使Nikkiso的设计易于实现，而无需其他组件。Everspin MRAM技术的强大可靠性使Nikkiso工程师能够使用EVERSPIN的标准商业级产品满足患者关键医疗设备市场的苛刻要求。
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2020-04-24 14:29:49
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1.软件是将01编码翻译出来再去控制一个运算电路，FPGA里面没有这些东西 2.FPGA内部主要三块：可编程的逻辑单元、可编程的连线和可编程的IO模块。 3.可编程的逻辑单元：其基本结构类似存储器(SRAM、 FLASH等)制成的4输入或6输入1输出地“真值表”加上一个D触发器构成。任何一个4输入1 ...
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2020-04-22 13:12:00
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型号MM32L052TW具有32 位 ARM? Cortex?-M0 处理器内核，它的最高工作频率可达 48MHz，高达 128K 字节的闪存程序存储器和高达 8K 字节的 [SRAM](https://www.sramsun.com/)，Boot loader 支持片内 Flash、在线系统编程（ISP），提供2.0V ~ 5.5V供电。
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2020-04-13 18:09:48
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VTI7064存储器可以实现单线、4线和8线的方式操作SRAM。速度在20MHz~200MHz之间,选择功耗更低的SPI SRAM,更有利在设计产品上做到功耗的减少， 成本上也要比6晶体的SRAM有优势得多,容量一般在 16Mb,32Mb,64Mb。SPI SRAM也因为成本及接口的优点被很多MCU的厂家认可及支持。
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2020-04-10 10:33:46
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1.局部性与命中率 对于cache而言，其本质就是在高速寄存器与低速DRAM之间寻找一个平衡，拥有较大的存储空间与较快的速度，一般利用SRAM实现。为了实现高速的目的，我们希望cache中存储的数据可以包括一切cpu中需要用到的数据，从而避免重新回到DRAM导入数据，但cache的存储空间毕竟较小无 ...
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2020-04-08 12:22:15
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基于SMIC 28nm工艺节点仿真结果显示,新型10T单元结构在电源电压为1.05V时,和传统6T单元相比,RSNM提升了 2.19倍,WM提升了 2.13倍。同时,在单元读写操作时,错误率较低。
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2020-04-03 20:02:01
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主要知识点： DMA 数据传输 串口传输 通道引脚初始化 （一）、DMA 数据传输 1、外设到存储器传输 2、存储器到外设传输 3、存储器到存储器传输 外设一般为：ADC、SPI、I2C等。 存储器一般为：片内SRAM、外部存储器、片内FLASH等 DMA功能框图：8个流通道（DMA_SxCR ）， ...
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2020-03-10 14:10:00
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