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搜索关键字:sram    ( 345个结果
SRAM芯片测试
存取时间也是SRAM的一个重要参数,它可以表示存储器的工作速度。测量得到,存取时间=299.4ns-293.2测量存取时间时,不同的数据端口会有ns=6.2ns。较小差别,这与实际芯片制造和不可避免的测量误差均有关。
分类:其他好文   时间:2020-03-04 00:05:15    阅读次数:71
静态随机存储SRAM工艺
随着一代代更先进工艺节点的发展,器件的特征尺寸越来越小,使用传统六晶体管存储单元制造的静态RAM可以提供越来越短的存取时间和越来越小的单元尺寸,但漏电流和对软故障的敏感性却呈上升趋势,设计师必须增加额外电路来减小漏电流,并提供故障检测和纠正机制来“擦除”存储器的软故障。
分类:其他好文   时间:2020-03-02 22:56:52    阅读次数:126
IAR嵌入式工作台IDE _ (__no_init) 绝对定位
IAR嵌入式工作台IDE用于编程基于MAXQ核的微控制器。IAR? C编译器(用于MAXQ微控制器)提供用于定义闪存或SRAM位置中数据对象或变量的选项。编译器具有特殊关键词pragma location和pragma required;通过使用关键词,可将存储器分配给绝对地址的数据对象或变量。必须 ...
分类:其他好文   时间:2020-03-02 19:12:41    阅读次数:178
高性能异步SRAM技术角度
当前有两个不同系列的异步SRAM:快速SRAM(支持高速存取)和低功耗SRAM(低功耗)。从技术角度看来,这种权衡是合理的。在低功耗SRAM中,通过采用特殊栅诱导漏极泄漏(GIDL)控制技术控制待机电流来控制待机功耗。这些技术需要在上拉或下拉路径中添加额外的晶体管,因此会加剧存取延迟,而且在此过程中 ...
分类:其他好文   时间:2020-02-28 13:58:54    阅读次数:65
静态存储SRAM设计
访问SRAM时,字线加高电平,使得每个基本单元的两个控制开关用的晶体管M5与M6开通,把基本单元与位线连通。位线用于读或写基本单元的保存的状态。虽然不是必须两条取反的位线,但是这种取反的位线有助于改善噪声容限。
分类:其他好文   时间:2020-02-26 12:45:32    阅读次数:110
静态SRAM芯片工作原理
下面谈谈当存储字节的过程是怎样的:下面的示意图显示的也仅仅是最简单状态下的情况,当内存条上仅剩一个RAM芯片的情况。对于X86处理器,它通过地址总线发出一个具有22位二进制数字的地址编码--其中11位是行地址,11位是列地址,这是通过RAM地址接口进行分离的。行地址解码器(row decoder)将 ...
分类:其他好文   时间:2020-02-24 14:59:49    阅读次数:66
STM32芯片型号的命名规则
意法半导体已经推出STM32基本型系列、增强型系列、USB基本型系列、增强型系列;新系列产品沿用增强型系列的72MHz处理频率。内存包括64KB到256KB闪存和20KB到64KB嵌入式SRAM。新系列采用LQFP64、LQFP100和LFBGA100三种封装,不同的封装保持引脚排列一致性,结合ST ...
分类:其他好文   时间:2020-02-22 21:40:12    阅读次数:106
静态随机存储器SRAM存储数据原理
RAM主要的作用就是存储代码和数据供中央处理器在需要的时候进行调用。对于RAM等存储器来说仍是一样的,虽然存储的都是代表0和1的代码,但是不同的组合就是不同的数据。对于RAM存储器而言数据总线是用来传入数据或者传出数据的。因为存储器中的存储空间是如果前面提到的存放图书的书架一样通过一定的规则定义的, ...
分类:其他好文   时间:2020-02-21 16:22:01    阅读次数:73
?Microchip SPI串行SRAM和NVSRAM器件
512Kb和1Mb器件还具有Vbat引脚用于电池备份,因此当外部电池或超级电容器连接到该引脚时,使器件具有非易失性。这些串行NVSRAM器件具备无限使用寿命和瞬时写功能,对于诸如量表、黑盒和数据记录器之类应用特别有用。
分类:其他好文   时间:2020-02-19 01:04:16    阅读次数:52
外部SRAM的种类
零总线周转时间SRAM –零总线周转时间SRAM(ZBT SRAM)从读到写的转换需要零个时钟周期,这使得它的反应时间很短。ZBT SRAM通常需要一个专用的控制器使其低反应时间的优势发挥出来。
分类:其他好文   时间:2020-02-18 11:20:54    阅读次数:70
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