需求说明:IPC高清摄像机知识储备
内容 :第一部分 从四大方面分析CCD传感器与CMOS传感器的优劣
第二部分 解析数码相机的技术参数
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第一部分 从四大方面分析CCD传感器与CMOS传感器的优劣
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2016-06-18 06:47:38
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如图,为单片机AD转换器的一种: ADC0804单片集成A/D转换器。它采用CMOS工艺20引脚集成芯片,分辩率为8位,转换时间为100µs,输入电压范围为0~5V。芯片内具有三态输出数据锁存器,可直接接在数据总线上。各引脚名称及作用如下:VIN(+),VIN(-)——两模拟信号输入端,用以接收单极性、双极性和差模输入信号。DB7~DB0——具有三态特性数字信号输出口。AGND——模拟信号地。DG...
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2016-06-12 01:55:41
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本章重点: 1.linux引导流程 2.linux运行级别 3.linux启动服务管理 4.GRUB配置与应用 5.启动故障分析解决 linux启动流程 1.固件(fireware):固话在硬件上的程序,主要有CMOS/BIOS 2.post加电自检, 1.检测硬件信息,如cpu,内存,等硬件信息是... ...
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2016-05-23 21:01:21
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TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路的英文缩写 (Transister-Transister-Logic ) ,是数字集成电
路的一大门类。它采用双极型工艺制造,具有高速度低功耗和品种多等特点。
CMOS是:金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管,
有P型MOS管和N型MOS管 之分。由 MOS管构成的集成电路称为M...
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2016-05-23 15:10:40
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基于iCamera测试mt9m034 高动态相机模块小结 首先看看此模块的特性 mt9m034 高动态 CMOS模块 1280*960像素 5.48 V/lux-sec 》115db 摄像头模块实物靓照(上面的是iCamera测试底板链接) 、 目前摄像头提供的对外接口 对于该系列的摄像头,芯片不同 ...
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2016-05-21 10:17:09
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DMD精微反射镜面是一种整合的微机电上层结构电路单元 (MEMSsuperstructure cell),它是利用CMOS SRAM记忆晶胞所制 成。DMD上层结构的制造是从完整CMOS内存电路开始,再透过光罩层的使用,制造出铝金属层和硬化光阻层 (hardenedphotoresist) 交替的上层结构,铝金属层包括地址电极 (address electrode)、绞链...
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2016-05-18 19:57:22
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网页收藏 TTL和CMOS门电路的区别: 1. TTL和带缓冲的TTL信号 输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是0.4V。 2. CMOS电平: 1逻辑 ...
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2016-05-18 14:33:31
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信息系统管理工程师是全国计算机技术与软件专业技术资格考试(简称计算机软件资格考试)中的一个中级考试。信息系统管理工程师考试要求考生掌握计算机系统、操作系统、数据库、计算机网络、信息化和信息系统等相关知识内容。信息系统管理工程师考试要求掌握的内容宽且多,备考..
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2016-05-16 20:11:56
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Leakage power随着CMOS电路工艺进程,功耗越来越大。 Power Domain的开关一般通过硬件中的timer和系统层次的功耗管理软件来进行控制,需要在一下几方面做trade-off: 1)可能节省的leakage power, 2)entry和exit的power和time消耗, 3 ...
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2016-05-15 15:19:51
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1.UART
UART是通用异步收发传输器,使用RxD和TxD两根线实现异步全双工通信;为确保通信可靠,可以在通信两边接共地;因此,完整的UART通信只需最少3根线即可。
RxD是发送数据线,TxD是接收数据线,通信双方使用交叉互联,RxD接对方TxD,TxD接对方RxD。UART使用标准的TTL/CMOS电平(0~5V,0~3.3V,0~2.5V,0~1.8V)来表示数据,高电平表示1,低电...
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2016-05-13 02:40:59
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