SRAM 是依靠一对反相器以闭环形式连接的存储电路，它的代码的读出是非破坏性的，并不需要相应的刷新电路，因此它的存取速度比DRAM 要快。但是，SRAM 需要用更多的晶体管来存储一位的信息（采用六管单元或四管两电阻单元储存一位数据），因而其位密度比其它类型的低，造价也高。静态存储器多用于二级高速缓存。
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2020-04-29 18:37:45
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1.局部性与命中率 对于cache而言，其本质就是在高速寄存器与低速DRAM之间寻找一个平衡，拥有较大的存储空间与较快的速度，一般利用SRAM实现。为了实现高速的目的，我们希望cache中存储的数据可以包括一切cpu中需要用到的数据，从而避免重新回到DRAM导入数据，但cache的存储空间毕竟较小无 ...
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2020-04-08 12:22:15
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http://www.semantikoz.com/blog/lambda-architecture-velocity-volume-big-data-hadoop-storm/ Big data architecture paradigms are commonly separated into ...
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2020-04-05 22:02:51
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现在MRAM有很多优异的指标，但是并非完美。它的存储密度和容量决定了它尚不能更大范围的替代其他存储器产品。但是根据摩尔定律，芯片尺寸会越来越小，这也是为什么很多人都认为DRAM快走到了它生命周期的尽头。
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2020-04-03 18:32:07
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有些基于MCU的旧系统仍在使用SDRAM，在降低功耗和简化接口方面，可以受益于IoT RAM的使用。下表清楚显示了待机电流和有功电流的优点，同时保持了相当的传输速率。
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2020-03-27 23:15:46
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其实，内存构造简单，基本由DRAM IC 和PCB 组成。因此高低端内存的区别，也主要体现在这两者上。
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2020-03-21 11:21:57
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目前，市面上最受欢迎的是DDR3和DDR4的内存。尤其是装机的小伙伴，大多数会选择DDR4内存，因为它功耗更低、性能更强。那这两者究竟有什么详细地区别呢？
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2020-02-28 11:54:17
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最新的1Gb容量STT-MRAM扩大了MRAM的吸引力，但Everspin仍需努力追赶DRAM的存储密度。
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2020-02-19 17:19:40
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通过添加STT-MRAM来补充或替换SSD控制器的DDR总线上的易失性DRAM，SSD控制器现在可以将该高速非易失性存储器用于写缓冲区和之前运行的任何其他关键数据易挥发的。
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2020-02-10 09:23:06
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作为克服现有基于NAND闪存的SSD的解决方案，Everspin提供具有ST-DDR3和ST-DDR4接口的STT-MRAM，可通过提供高速非易失性存储来提高SSD的系统性能和可靠性。机上数据。通过添加STT-MRAM来补充或替换SSD控制器的DDR总线上的易失性DRAM（图1），SSD控制器现在可 ...
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2020-02-09 22:07:52
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