本文从本人的163博客搬迁至此。 接下来用USB-6009和LabVIEW实现对二极管最重要的特性曲线“V-I特性曲线”的测试和绘制。 一、什么是二极管V-I特性曲线 康华光版的《电子技术基础——模拟部分》这样介绍二极管的V-I特性：在二极管正向特性（在PN结两端施加N正P负的电压时的特性）的起始部 ...
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2018-10-18 13:12:43
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2406: C语言习题 求n阶勒让德多项式 Description 用递归方法求n阶勒让德多项式的值，递归公式为 n=0 pn(x) =1 n=1 pn(x) =x n>1 pn(x) =((2n-1)*x* pn-1(x) -(n-1)* pn-2(x))/n 结果保留2位小数。 用递归方法求n阶 ...
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2018-02-10 23:24:01
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可控硅全称“可控硅整流元件”（Silicon Controlled Rectifier），简写为SCR，别名晶体闸流管（Thyristor），是一种具有三个PN结、四层结构的大功率半导体器件。可控硅体积小、结构简单、功能强，可起到变频、整流、逆变、无触点开关等多种作用，因此现已被广泛应用于各种电子产 ...
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2017-12-28 21:38:16
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电路基础 电路基础 电路基础里面关键是要知道MOS管（由电压控制导通的这样一种器件是各种门电路的基础）分为pMOS和nMOS。pMOS和nMOS形成各种门点路的方法在后面有 P型半导体：主要靠空穴导电 N型半导体：主要靠自由电子导电 PN结：p端负电荷。n端正电荷。 二极管：单向导通性 晶体三极管（ ...
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2017-07-25 18:06:24
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二极管由PN结组成，P和N都是半导体，因此要了解P型半导体和N型半导体，这两个都属于杂质半导体，先从最原始的本征半导体讲起 本征半导体：普通的半导体就是由半导体元素组成，如硅和锗（zhe第三声），最外层四个电子形成共价键，电子受热等便摆脱共价键成为自由电子，原来的位置因为走了一个电子就带正电，变成空 ...
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2017-07-01 13:38:16
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P（positive）型半导体 空穴（共价键上流失一个电子）浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体，在纯净硅晶体中掺入三价元素 N（negative）型半导体 自由电子浓度远大于空穴（共价键上流失一个电子）浓度的杂质半导体，在纯净硅晶体中掺入五价元素 PN结 注意：P型半导体呈电中性，空穴主要由杂质原子 ...
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2017-05-31 15:26:05
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1、CMOS中哪些制造步骤中用到了离子注入，需要注意哪些？2、有哪些薄膜制备方法？各有什么优缺点？3、COMS的制作步骤，简要叙述。4、载流子的输运方式有哪些，简要叙述。5、半导体中缺陷种类，杂质的类型，缺陷杂质的危害，如何避免杂质缺陷。6、为何固体有超导体，导体，半导体，绝缘体？7、缓变PN结和突 ...
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2016-09-13 16:19:48
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输入特性曲线 当Uce=0V时，相当于集电极与发射极短路，因此，输入特性曲线与PN结伏安特性曲线类似。 当Uce增大时，曲线将右移。这是因为由于发射区注入基区的非平衡少子有一部分越过基区和集电结形成集电极电流ic，使得在基区参与复合运动的非平衡少子随Uce的增大而减小，因此要获得同样的Ib就必须加大 ...
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2016-08-13 17:57:55
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PN结加正向电压 当PN结外加正向电压时，外电场将多数载流子推向空间电荷区，使其变窄，削弱了内电场，破坏了原来的平衡，使扩散运动加剧，PN结导通。PN结的压降只有零点几付，所以在其回路里应串联一个电阻。 PN结加反向电压 当PN结加反向电压时，外电场使空间电荷区变宽，加强了内电场，阻止了扩散运动的进 ...
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2016-08-13 15:42:27
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