P型半导体 在纯净的硅晶体中掺入3价元素如硼，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。在P型半导体中，空穴为多字，自由电子为少子，主要靠空穴导电。掺入的杂质越多，空穴的浓度就越大，导电性就越强。 N型半导体 在纯净的硅晶体中掺入5价元素如磷， 使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。 ...
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2016-08-13 15:30:39
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第七章 LED将为我们闪烁：控制发光二极管 发光二极管的工作原理：发光二极管 它是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能;常简写为LED。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米 ...
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2016-06-05 15:12:26
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一、很多初学者都会认为三极管是两个 PN 结的简单凑合（如图1）。这种想法是错误的，两个二极管的组合不能形成一个三极管。我们以 NPN 型三极管为例（见图 2 ），两个 PN 结共用了一个 P 区 —— 基区，基区做得极薄，只有几微米到几十微米，正是靠着它把两个 PN 结有机地结合成一个不可分割的整 ...
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2016-04-18 11:54:07
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电路基础电路基础
电路基础里面关键是要知道MOS管（由电压控制导通的这样一种器件是各种门电路的基础）分为pMOS和nMOS，pMOS和nMOS形成各种门点路的方法在后面有
P型半导体：主要靠空穴导电
N型半导体：主要靠自由电子导电
PN结：p端负电荷，n端正电荷。 二极管：单向导通性
晶体三极管（NPN、PNP），三个电极分别为基极，集电极，发射级——具有电流分配和放大作用
场效应管（field-...
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2016-04-12 17:32:55
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##二极管的组成将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。##实物图片：##二极管分类+ 点接触型：结面积小，结电容小，故允许的电流小，最高工作频率高。+ 面接触型：结面积大，结电容大，故允许的电流大，最高工作频率低。+ 平面型：结面积可小、可大，小的工作频率高，大的允许的电流大。>二极管是单向导...
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2015-09-30 00:47:33
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一个解释是：掺杂高的P区，较窄的区域就贡献足够的空穴，跟N区贡献出的电子相抵消另一个解释是：P型半导体中所谓的空穴，其实是电中性的；N型半导体中的自由电子是从施主杂质那里跑出来的。P型和N型紧密结合在一起形成PN结时，每有一个自由电子进入P型区域和空穴结合，就多了一个真正的负离子（那个结合了自由电子...
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2015-09-05 20:47:55
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大二学的模电，现在又拿起来，感叹自己学的实在太差，所以结合一些资料开始总结笔记pn结即空间电荷区杂质半导体中的多子一般都是由杂质原子提供，少子是本征激发产生P型半导体和n型半导体结合后，交界处p区的多子（空穴）向n区扩散，n区多子（电子）向p区扩散前者是因为n区的空穴少产生了浓度差，后者是因为p区电...
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2015-09-04 23:56:48
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电场力作用下载流子的运动即漂移运动pn结中内电场会抑制载流子扩散运动，而加强漂移运动内电场方向是由n区指向p区，因此p区空穴以及n区电子均会受到与扩散运动方向相反的电场力，由此扩散运动被抑制，而p区少子电子和n区少子空穴会因为电场力而运动，即漂移运动，空穴会由n区向p区移动，电子由p区向n区移动漂移...
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2015-09-04 23:54:15
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晶体三极管分为NPN和PNP型两种结构形式，除了电源极性的不同工作原理是大致相同的。对于NPN管，它是由2块N型半导体夹着一块P型半导体所组成的，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区所形成的PN结称为集电结，三条引线分别为发射极（Emitter）、基极（Base)和集电极c（Col...
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2015-07-25 21:21:55
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三极管饱和问题总结：1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。2.集电极电阻 越大越容易饱和；3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不...
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2015-07-21 21:59:44
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