一、存储器类型 1、RAM，随机存取存储器（Random Access Memory），也叫主存，是与 CPU 直接交换数据的内部存储器。可按地址进行读写，掉电后数据会丢失。 （1）DRAM：动态RAM，使用电容的电量来表示逻辑 0 和 1，电容充放电的特性导致其需要不断的刷新来保证数据不丢失。存储 ...
分类：
其他好文 时间：
2020-01-25 12:55:42
阅读次数：
168
MRAM芯片是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性，可以兼做内存以及硬盘的新型存储器介质。写入速度可达到NAND闪存的数千倍，此外其制作工艺要求低，产品良品率高，可以很好的控制成本。
分类：
其他好文 时间：
2020-01-22 09:20:34
阅读次数：
96
据报道三星已经成功研发出有望替代嵌入式闪存存储器（eFlash）的嵌入式磁阻随机访问内存（eMRAM），容量为1Gb，测试芯片的优良率已达90%。 随着5G物联网时代的来临，存储器领域发展快速，而在这一领域，韩系厂商拥有着比较明显的优势。 MRAM芯片是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种 ...
分类：
其他好文 时间：
2020-01-21 16:33:48
阅读次数：
101
为了使设计人员能够快速集成ST-DDR4支持，该过程从Xilinx Vivado开发环境中生成的现有8Gb DDR4 SDRAM-2666存储器接口生成器（MIG）开始
分类：
其他好文 时间：
2020-01-21 09:26:06
阅读次数：
78
Everspin在磁存储器设计，制造和交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。包括40nm，28nm及更高工艺在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ ST-MRAM生 ...
分类：
其他好文 时间：
2020-01-19 15:20:37
阅读次数：
77
MR4A16B是一款3.3V、并行I/O非挥发RAM，其超快的存取周期仅为35ns，并允许无限制的读/写循环。在每次写入后，资料能持续保存超过20年。
分类：
其他好文 时间：
2020-01-18 01:06:55
阅读次数：
76
概念 1. 零拷贝 CPU不执行数据从一个存储区域到另一个存储区域的任务。所以同一个存储区域之间的拷贝也属于零拷贝。 2. DMA DMA(Direct Memory Access,直接存储器访问)。将一批数据从源地址搬运到目的地址去而不经过CPU的干预。相关知识可以参考 "DMA之理解" 3. I ...
分类：
其他好文 时间：
2020-01-17 20:41:59
阅读次数：
70
对MRAM存储器的巨大需求将刺激设备支出的稳步增长。预计MRAM设备市场将从2018年的2600万美元增长到2029年的854美元-增长33倍。
分类：
其他好文 时间：
2020-01-17 09:44:08
阅读次数：
65
一、临界区 1.定义：临界区指的是一个访问共用资源（例如：共用设备或是共用存储器）的程序片段，而这些共用资源又无法同时被多个线程访问的特性。当有线程进入临界区段时，其他线程或是进程必须等待，有一些同步的机制必须在临界区段的进入点与离开点实现，以确保这些共用资源是被互斥获得使用。 2.临界区中存在的属 ...
分类：
其他好文 时间：
2020-01-14 23:32:02
阅读次数：
133
在整个地址空间范围内读写各种类型的数据。通常MRAM的操作和时序类似于32位微控制器的规范和时序。与DLFASH相比，当今的非易失性存储器可以接受MRAM设备的性能和吞吐量。 与当今的DFLASH相比，未来的汽车动力总成控制器可能需要更快，更加强大的非易失性和保活内存。在非易失性存储器中使用MRAM ...
分类：
其他好文 时间：
2020-01-14 12:50:49
阅读次数：
98
