一种智能卡封装框架的电镀方法，属于电子信息技术领域。其特征在于：本发明将成型框架进行前处理之后，再在框架接触层电镀1.8~2.2μm厚的镍层，再在镍层的基础上电镀0.4~0.8μm的磷镍合金层，之后再在框架接触面的磷镍合金层外电镀0.009~0.05μm厚的金层。本发明提高了产品接触表面的耐磨性.....
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2014-05-31 11:24:19
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一种智能卡封装框架，属于集成电路技术领域。包括基材（5）、基材（5）上方的接触层和基材（5）下方的焊接层，所述接触层和焊接层均为复合结构，自内向外依次为铜层（1）、镍层（2）和金层（4），其特征在于：在所述镍层（2）与金层（4）之间增加一层磷镍合金层（3）。即基材（5）两侧自内向外依次为铜层（1）、...
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2014-05-31 03:12:58
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本发明涉及一种在条带上实现多芯片封装的方法，所采用的方法是：首先选用一种载体来替代条带，用普通的电子芯片固晶机和绑定机、或者倒装焊设备完成对多颗芯片晶粒的固晶和绑定、或者倒装焊。在此过程中，对每个环节作半成品作质量检测，在做完半成品测试后，对晶粒进行密封操作，最后将密封好的颗粒贴片、焊接或者粘接.....
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2014-05-31 03:02:09
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本实用新型公开了一种控制智能卡模块封装尺寸的UV封装设备，包括工作台和安装在所述工作台上方的滴胶装置和UV固化炉，所述UV固化炉位于所述滴胶装置的右边，所述UV封装设备还包括低温装置，所述低温装置设置在所述滴胶装置和UV固化炉之间，且靠近所述滴胶装置，所述低温装置为朝向下端开口的中空箱体，所述低.....
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2014-05-31 02:56:41
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无铜环双界面智能卡封装框架，属于电子信息技术领域。包括基片和基片中心位置的芯片承载面（9），其特征在于：基片又包括基层（1）、第一接触层（2）和第二接触层（3），所述的基层（1）为中间层，基层（1）环绕芯片承载面（9）和焊接孔（6），第一接触层（2）包覆在基层（1）的正面，第二接触层（3）包覆在基层...
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2014-05-31 02:47:13
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一种模塑封装接触式模块制作方法属于智能卡制造技术领域。包括如下步骤：芯片减薄切割：把圆盘芯片按一定的规格和标准进行减薄，然后再进行切割：芯片焊接：用芯片焊接机器将切割后的芯片与条带结合；金丝球焊：把芯片的焊点和条带连接起来，形成通路；模块封装：用模塑料把芯片和金丝部份完全包封起来，达到推力标准模块外...
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2014-05-31 02:45:48
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无铜环双界面智能卡封装框架制作方法，属于电子信息技术领域，主要应用于IC封装框架领域。本发明首先采用一面带铜的环氧树脂布，经冲压、前处理、覆膜、曝光、显影、蚀刻制作出第二接触层（3）；再在无铜箔面贴铜箔、烘干、前处理、覆膜、曝光、显影、蚀刻制作出第一接触层（2）；然后，对第一接触层（2）和第二接触层...
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2014-05-31 02:44:31
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一种非全接触式挡液管，属于电子信息设备领域。包括挡液管，挡液管两两相对，之间为待电镀IC卡封装框架，挡液管表面设药水流出口，其特征在于：所述的挡液管（1）上设接触块（3），接触块（3）设在与待电镀IC卡封装框架无铜箔覆盖部分相对应的位置。本实用新型的非全接触式挡液管，将原有的与待电镀IC卡封装框架接...
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2014-05-31 02:43:11
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一种非全接触式导电滚轮，属于电子信息设备领域。包括用于使待电镀IC卡封装框架通过的滚轮，滚轮与整流器的负极相连，其特征在于：所述的滚轮（1）上设有相间分布的宽导电接触块（3）与窄导电接触块（4），宽导电接触块（3）与窄导电接触块（4）设在与待电镀IC卡封装框架边缘的导电线相对应的位置。本实用新型的非...
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2014-05-31 02:26:50
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本发明提供了一种UV胶筑坝封装智能卡用CPU模块方法，在贴片、焊线后的载带上，用UV胶在每个器件的周围涂一圈，然后再用UV胶将坝内的芯片、金丝及其空隙填没掩盖叫填料，经过UV灯照射，固化成型并经过质量检测，实现电路封装。运用本发明方法封装的CPU模块，相比较无筑坝的封装，提高了合格率，用该模块制.....
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2014-05-30 23:33:22
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